--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、K2188-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K2188-VB 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓電源管理和開關(guān)應用設(shè)計。該器件的最大漏源極電壓(VDS)為650V,能夠在高電壓環(huán)境下保持卓越的穩(wěn)定性和可靠性。K2188-VB 的柵源極電壓(VGS)范圍為±30V,使其能夠適應多種工作條件。其開啟電壓(Vth)為3.5V,確保在較低的柵極電壓下即可導通。此外,在 VGS 為10V 時,導通電阻(RDS(ON))僅為830mΩ,這意味著在操作過程中具有良好的電流傳導能力。該 MOSFET 最大漏極電流(ID)為10A,適合各種高功率應用,能夠有效提升設(shè)備的能效和性能。
### 二、K2188-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- VGS = 10V 時:830mΩ
- **漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:可達 30W(典型)
- **輸入電容(Ciss)**:約1100pF(典型)
- **封裝引腳**:
- 引腳1:源極(Source)
- 引腳2:漏極(Drain)
- 引腳3:柵極(Gate)
### 三、K2188-VB 應用領(lǐng)域與模塊示例
1. **高壓電源管理**:K2188-VB 非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng),例如不間斷電源(UPS)和電力轉(zhuǎn)換器。這些應用需要高壓組件能夠穩(wěn)定工作,以確保電源的可靠性和安全性。
2. **電機控制**:在工業(yè)電機驅(qū)動中,K2188-VB 可以作為開關(guān)元件用于高功率電機控制,適用于空調(diào)、泵和風扇等設(shè)備,確保電機的有效運行和節(jié)能。
3. **LED驅(qū)動器**:在大功率LED照明系統(tǒng)中,K2188-VB 可用于驅(qū)動LED燈條或高亮度燈泡,通過穩(wěn)定的電流控制實現(xiàn)高效能和長壽命的照明解決方案。
4. **電動汽車充電裝置**:K2188-VB 適用于電動汽車充電設(shè)備,能夠處理高電壓和大電流,從而保證電池充電過程的安全和高效,適合家庭和公共充電站的應用。
綜上所述,K2188-VB 的高壓和高功率特性使其成為多個領(lǐng)域和模塊中的理想選擇,滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對性能和可靠性的需求。
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