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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2679-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2679-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**一、產品簡介:**

K2679-VB 是一款高性能單 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓電源和開關電路設計。其最大漏源電壓 (VDS) 高達 650V,適用于各種高電壓應用。柵源電壓 (VGS) 可達 ±30V,開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,能夠在低電壓下快速開啟。該器件在 VGS 為 10V 時的導通電阻 (RDS(ON)) 為 830mΩ,能夠提供高效的電流傳輸,最大漏極電流 (ID) 為 10A。K2679-VB 采用平面技術(Plannar),在能量轉換、工業(yè)設備和汽車電子等領域表現(xiàn)卓越。

**二、詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術類型**: 平面技術(Plannar)
- **最大功耗**: 50W(在適當?shù)纳釛l件下)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **最大脈沖漏極電流 (IDM)**: 30A
- **熱阻**: 5°C/W(結到殼)

**三、適用領域和模塊舉例:**

1. **開關電源**: K2679-VB 非常適合用于開關電源設計,能夠在高壓環(huán)境下提供可靠的電流傳輸,確保高效能的能量轉換。

2. **電機驅動**: 該 MOSFET 可廣泛應用于電機驅動系統(tǒng)中,適合于高壓電機的控制和驅動,確保電機啟動和運行的穩(wěn)定性。

3. **電源管理**: 在電源管理模塊中,K2679-VB 可用于高電壓分配和轉換,為現(xiàn)代電子設備提供必要的電力支持。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**: 該器件可用于工業(yè)自動化和控制系統(tǒng),如 PLC(可編程邏輯控制器)中,滿足高電壓操作的需求。

5. **LED驅動電路**: K2679-VB 適用于高壓 LED 驅動電路,確保在高電壓條件下提供穩(wěn)定的電流輸出,從而實現(xiàn)高效的照明解決方案。

通過其卓越的性能和廣泛的應用范圍,K2679-VB 成為高壓電源和電力電子設備中不可或缺的組件,能夠滿足不斷增長的高電壓需求。

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