91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K2726-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2726-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:K2726-VB MOSFET

K2726-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計(jì)用于承受高達(dá)650V的漏源電壓(VDS)。該器件具備12A的最大漏極電流(ID),開(kāi)啟閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在10V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為680mΩ?;谄矫婀に嚰夹g(shù)制造,K2726-VB MOSFET 適用于各種高壓電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,能夠在高效開(kāi)關(guān)操作中提供優(yōu)異的性能與穩(wěn)定性。

### 參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝**: TO220F  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**: 650V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V  
- **開(kāi)啟閾值電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 680mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流(ID)**: 12A  
- **技術(shù)**: 平面工藝  
- **最大耗散功率**: 通常為125W(具體取決于散熱條件)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理和轉(zhuǎn)換器**:  
  K2726-VB 的高耐壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高壓電源管理和轉(zhuǎn)換器中。它能夠在太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源和電力適配器中實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,提供穩(wěn)定的電源輸出。

2. **工業(yè)自動(dòng)化**:  
  在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,該MOSFET可用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)和執(zhí)行器的控制電路。其高電流能力能夠滿足工業(yè)設(shè)備在高負(fù)載下的性能需求,從而保證設(shè)備的正常運(yùn)行和高效工作。

3. **高壓LED驅(qū)動(dòng)**:  
  K2726-VB 適用于高壓LED照明驅(qū)動(dòng)電路。由于其高電壓耐受能力和高效能,該MOSFET可以有效控制高功率LED模塊的電源,確保光源的穩(wěn)定性和光效。

4. **逆變器和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)**:  
  該器件在逆變器和其他電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源應(yīng)用中。K2726-VB MOSFET 可以幫助實(shí)現(xiàn)高效的電流控制和能量管理,從而提高整體系統(tǒng)的效率和性能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    426瀏覽量