--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K2750-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏源極電壓(VDS)可達(dá)到 650V,適用于多種需要高電壓處理的場(chǎng)合。其柵源極電壓(VGS)可承受 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保了其良好的開關(guān)性能。在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)下,K2750-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ,使其在高電壓應(yīng)用中依然能夠有效地控制導(dǎo)通損耗。該器件的最大漏極電流(ID)為 4A,能夠滿足一定功率需求的應(yīng)用,適合在要求高壓和可靠性的環(huán)境中使用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **溝道配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù) (Plannar)
- **功耗能力**:在合理的散熱條件下,能夠承受一定功率,具體值取決于散熱設(shè)計(jì)。
- **工作溫度范圍**:-55°C 到 150°C
- **熱阻**:在適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì)下,能夠保持較低的熱阻,延長(zhǎng)器件的使用壽命。
- **開關(guān)頻率**:適合于中頻應(yīng)用,具有良好的開關(guān)性能。
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **開關(guān)電源**:K2750-VB 非常適合于高電壓開關(guān)電源(SMPS)中,能夠有效處理電能轉(zhuǎn)換。其高壓特性確保了在高壓輸出下的穩(wěn)定性和可靠性。
2. **電力電子設(shè)備**:在各種電力電子設(shè)備中,如逆變器和變頻器,該器件能夠作為功率開關(guān),有效控制電能流動(dòng),特別是在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)越。
3. **電動(dòng)汽車(EV)**:在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)中,K2750-VB 可以用于高壓電池的切換和控制,確保安全性和高效性,滿足電動(dòng)汽車對(duì)電源的嚴(yán)格要求。
4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:該 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化控制中,適合高電壓和高電流的負(fù)載開關(guān),提供穩(wěn)定可靠的控制性能。
5. **可再生能源系統(tǒng)**:在太陽(yáng)能和風(fēng)能系統(tǒng)中,K2750-VB 可用于逆變器和功率管理模塊,幫助實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,支持可再生能源的有效利用。
綜上所述,K2750-VB 憑借其出色的電氣特性和高壓處理能力,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電力電子設(shè)備、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制系統(tǒng)以及可再生能源等領(lǐng)域,為多種應(yīng)用提供了高效可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛