### 產(chǎn)品簡介
K3569-VB 是一款高壓單 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封裝，專為高電壓應用設計。其最大漏源電壓為 650V，具有良好的電流承載能力，最高可達 12A，非常適合用于高功率電源管理和開關電路。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: K3569-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 680mΩ (VGS=10V)
- **ID**: 12A
- **技術**: Plannar
### 適用領域和模塊
K3569-VB 在高壓電源轉換器、逆變器和工業(yè)電氣設備中具有廣泛的應用。由于其低導通電阻，該 MOSFET 特別適合用作高效率的開關元件，能夠有效降低能量損耗。在電動車輛充電系統(tǒng)和可再生能源應用中，它提供了穩(wěn)定和高效的性能，確保設備的可靠運行。
