91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K3A60DAA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3A60DAA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3A60DAA4-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3A60DAA4-VB 是一款高壓?jiǎn)螛O N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。該器件設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用,其漏源電壓(VDS)高達(dá) 650V,適合在各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中使用。該 MOSFET 的柵極源電壓(VGS)為 ±30V,具備較高的閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保在不同工作條件下可靠開啟。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ @ VGS=10V,使其在功耗和熱量控制方面表現(xiàn)優(yōu)異。K3A60DAA4-VB 的 Plannar 技術(shù)使其在高頻開關(guān)和高溫環(huán)境中具有良好的性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: K3A60DAA4-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源**:K3A60DAA4-VB 可用于高壓開關(guān)電源設(shè)計(jì),尤其是在需要高電壓和高可靠性的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中。

2. **家電設(shè)備**:在電動(dòng)機(jī)控制和家電電源管理中,該 MOSFET 可以有效地控制電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行,提供穩(wěn)定的工作性能。

3. **工業(yè)電源**:此器件適合用于工業(yè)電源系統(tǒng),能夠處理高電壓和大電流負(fù)載,確保系統(tǒng)的安全和效率。

4. **電焊機(jī)**:在電焊機(jī)等高功率應(yīng)用中,K3A60DAA4-VB 能夠承受高電壓,確保設(shè)備在高負(fù)載條件下穩(wěn)定工作。

5. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 適用于太陽能逆變器中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和管理,提升系統(tǒng)的整體能效。

K3A60DAA4-VB 的設(shè)計(jì)確保其在高電壓應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性,非常適合需要高功率處理和高效率的電氣設(shè)備。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    517瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    439瀏覽量