--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介 – K4104-VB
K4104-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 溝道 MOSFET,設(shè)計用于高壓低功耗應(yīng)用。其具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵極電壓 (VGS) 范圍,確保在高壓操作環(huán)境下的可靠性。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻為 2560mΩ@VGS=10V,適用于低電流(最大漏極電流 4A)和中等功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。K4104-VB 采用平面 (Plannar) 技術(shù),具有較好的電氣特性和制造成本優(yōu)勢,常用于低功耗、高電壓的應(yīng)用領(lǐng)域。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: 平面 (Plannar)
- **最大功耗 (Pd)**: 35W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 較低,適合中低頻率應(yīng)用
- **柵極源電流**: 峰值較低,適用于低功耗場景
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **電源適配器 (Power Adapters)**
K4104-VB 適用于電源適配器中的功率開關(guān)器件。由于其650V的耐壓能力和相對較低的導(dǎo)通電流,該器件能夠有效控制電能轉(zhuǎn)換中的損耗,從而提升電源適配器的整體效率,尤其適合用于筆記本電腦、家用電器和其他便攜設(shè)備的電源適配器。
2. **LED 照明驅(qū)動器 (LED Lighting Drivers)**
在 LED 照明驅(qū)動器中,K4104-VB 可用于控制電壓轉(zhuǎn)換和電流調(diào)節(jié)。其高電壓能力允許在高壓環(huán)境中安全運行,平面技術(shù)的低開關(guān)損耗使其適合用于低功耗 LED 驅(qū)動電路,幫助提高整體照明效率。
3. **小型開關(guān)電源 (SMPS)**
該 MOSFET 還可以應(yīng)用于小功率開關(guān)電源中,例如臺式風(fēng)扇、電風(fēng)扇等家用電器的電源管理。在這些應(yīng)用中,K4104-VB 的高電壓耐受性確保了電路能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行,而其較低的導(dǎo)通電阻適合小功率的電源模塊。
4. **工業(yè)控制電路 (Industrial Control Circuits)**
在一些低功耗的工業(yè)控制電路中,如傳感器供電和控制模塊,K4104-VB 的高壓特性可以確保電路在較寬的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,同時其平面技術(shù)提供了較為穩(wěn)定的功耗管理。
5. **家電電源控制模塊 (Home Appliance Power Control)**
在家電的電源控制模塊中,如電飯煲、微波爐、冰箱等設(shè)備,K4104-VB 的高壓處理能力使其能夠安全穩(wěn)定地進行電源控制,確保家電長時間可靠運行。其低導(dǎo)通電流與適中的功耗管理能力使其在小型家電中表現(xiàn)良好。
K4104-VB 在需要高壓操作但不要求大電流的場景中提供了可靠的解決方案,特別適合低功耗、高電壓的電子設(shè)備和模塊。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12