91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K4197-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4197-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**K4197-VB MOSFET產品簡介**

K4197-VB是一款高性能的單通道N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為650V,最大柵源電壓(VGS)為±30V,門檻電壓(Vth)為3.5V。K4197-VB的導通電阻為2560mΩ(@VGS=10V),最大漏極電流(ID)可達4A。該MOSFET采用平面技術(Plannar),具有良好的電流處理能力和開關性能,適合于多種電力電子應用,尤其是在需要處理高電壓和功率的場合。

---

**K4197-VB詳細參數(shù)說明**

- **封裝類型**: TO220F  
- **配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A  
- **技術工藝**: Plannar  
- **最大功耗**: 根據散熱條件,具體功耗可能有所不同。  
- **工作溫度范圍**: -55°C至+150°C  
- **開關速度**: 盡管采用了平面技術,K4197-VB仍能在一定程度上實現(xiàn)快速開關,適合需要頻繁開關的應用。

---

**應用領域及模塊**

1. **高壓電源轉換器**:  
  K4197-VB MOSFET在高壓電源轉換器中表現(xiàn)出色,適合用于AC-DC或DC-DC轉換模塊。這款器件能夠承受高達650V的電壓,為電源系統(tǒng)提供可靠的開關解決方案,同時保持合理的功耗。

2. **逆變器應用**:  
  該MOSFET適用于光伏逆變器和其他類型的逆變器,能夠有效地將直流電轉換為交流電。其高耐壓特性使其在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中成為理想選擇,確保在高壓環(huán)境下運行穩(wěn)定。

3. **電機驅動**:  
  K4197-VB在電動機控制和驅動應用中也很常見,尤其是在需要高電壓和中等電流的場合。其穩(wěn)定的性能可以確保電動機在各種負載條件下正常工作,提高整體驅動效率。

4. **照明控制系統(tǒng)**:  
  在照明控制系統(tǒng)中,K4197-VB可以用于調節(jié)和控制高壓燈具,尤其是在需要高電壓的場合,如高壓鈉燈或金鹵燈等。該MOSFET的高電壓特性確保了安全和高效的燈具控制。

5. **不間斷電源 (UPS)**:  
  K4197-VB可用于不間斷電源系統(tǒng),為關鍵設備提供可靠的電力保障。在停電或電源波動時,K4197-VB能夠迅速響應,提供穩(wěn)定的電力輸出,保護設備的正常運行。

綜上所述,K4197-VB MOSFET是一款適合高壓應用的高性能器件,廣泛應用于高壓電源轉換、逆變器、電機驅動、照明控制和不間斷電源等領域,展現(xiàn)出優(yōu)異的性能和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    517瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    439瀏覽量