91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K4A60DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4A60DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K4A60DA-VB MOSFET 產品簡介:
K4A60DA-VB 是一款高壓單 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設計用于承受高達 650V 的漏極到源極電壓(VDS)。該器件具有 ±30V 的柵極到源極電壓(VGS),并且閾值電壓(Vth)為 3.5V,使其在相對較低的電壓條件下即可導通。K4A60DA-VB 的導通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ(在 VGS = 10V 時),能夠支持高達 4A 的連續(xù)漏電流(ID)。該 MOSFET 采用平面技術(Plannar),適合用于各種需要高電壓和電流控制的電路設計。

### 詳細參數說明:
1. **封裝:** TO220F – 提供優(yōu)良的散熱性能,適合高功率應用。
2. **配置:** 單 N 通道 – 適用于多種開關和放大電路。
3. **VDS(漏極到源極電壓):** 650V – 支持高電壓應用,適合高壓電源。
4. **VGS(柵極到源極電壓):** ±30V – 提供穩(wěn)定的柵極驅動能力。
5. **Vth(閾值電壓):** 3.5V – 低閾值電壓,適合低電壓驅動。
6. **RDS(ON)(漏源間導通電阻):** 2560mΩ @ VGS = 10V – 適合一般負載應用。
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 4A – 支持適度負載的電流控制。
8. **技術:** Plannar – 提供良好的電氣性能和穩(wěn)定性。

### 應用示例:
K4A60DA-VB MOSFET 憑借其高壓和中等電流的能力,適合多個應用領域。以下是一些具體應用場景:

- **電源供應器:** 該 MOSFET 可用于開關電源(SMPS),在高壓環(huán)境下高效地控制電流和電壓轉換,確保電源穩(wěn)定性和效率。
- **工業(yè)設備:** 在各種工業(yè)自動化設備中,K4A60DA-VB 用于電機驅動和控制電路,以實現高效的電流調節(jié)和負載管理。
- **電氣開關:** 在高壓電氣開關和繼電器應用中,該器件能夠可靠地切換高電壓負載,確保安全性和穩(wěn)定性。
- **家用電器:** K4A60DA-VB 也適用于一些家用電器的控制電路,如洗衣機和冰箱的電源管理,提供穩(wěn)定的電力支持。
- **照明系統(tǒng):** 在高壓照明控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于調節(jié)燈光的開關和亮度,確保照明系統(tǒng)的高效運行。

綜上所述,K4A60DA-VB MOSFET 以其高壓承載能力和穩(wěn)定的性能,在電源供應器、工業(yè)設備、電氣開關、家用電器和照明系統(tǒng)中具有廣泛的應用前景,能夠有效提高系統(tǒng)的能效和安全性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    517瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    439瀏覽量