--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、K4A60-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K4A60-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為650V電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,開啟閾值電壓(Vth)為 3.5V,具有適中的漏極電流能力,最大漏極電流(ID)為 7A。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 1100mΩ,確保在開關(guān)和導(dǎo)通過程中具有合理的功耗。K4A60-VB 采用平面工藝(Plannar)技術(shù),適合在多個高壓應(yīng)用中提供可靠的性能。
### 二、K4A60-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **溝道類型**:單 N 溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù)(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
### 三、K4A60-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**
K4A60-VB 適用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器。這款 MOSFET 能夠承受高達(dá)650V的電壓,確保在高壓操作下穩(wěn)定工作,從而提高電源系統(tǒng)的整體效率。
2. **電機控制系統(tǒng)**
K4A60-VB 可以用于電機控制應(yīng)用,尤其是在需要高壓和高效率的場合。它能夠在電機啟動和停止過程中快速切換,提供更好的控制精度和響應(yīng)速度。
3. **太陽能逆變器**
此 MOSFET 適合用于太陽能逆變器中,其高電壓耐受性使其能夠有效控制從太陽能電池板到電網(wǎng)的電能轉(zhuǎn)換過程,提高系統(tǒng)的可靠性和能效。
4. **電池管理系統(tǒng)**
K4A60-VB 在電池管理系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,尤其是在需要高電壓和電流管理的場景。它能夠確保電池充放電過程中的安全性和高效性,適用于電動汽車和儲能系統(tǒng)。
5. **家用電器**
該 MOSFET 適用于高壓家用電器控制,如電熱水器、空調(diào)和洗衣機等。其穩(wěn)定性和高電壓能力使其在這些高負(fù)載設(shè)備中表現(xiàn)出色,提升了電器的安全性和可靠性。
綜上所述,K4A60-VB 作為一款高性能的高壓 MOSFET,能夠在多種高壓應(yīng)用中提供有效的開關(guān)控制,廣泛適用于電源管理、電機驅(qū)動、可再生能源以及家電等多個領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12