--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
K5A60W-VB 是一款高效的N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為650V,使其能夠在高壓環(huán)境下可靠工作。該器件的閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在較低的驅(qū)動電壓下能夠正常開啟。K5A60W-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為830mΩ(在VGS為10V時),此值適合多種應(yīng)用,可以在一定程度上降低功率損耗,同時保持良好的導(dǎo)電性能。其最大漏極電流(ID)為10A,適合用于多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。K5A60W-VB采用Plannar技術(shù),具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,使其適合長期運(yùn)行的應(yīng)用場景。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar
- **其他性能**:K5A60W-VB設(shè)計優(yōu)化,具備良好的散熱能力和電流處理能力,適合在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定工作。
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K5A60W-VB因其高電壓和適度電流的特性,廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域和模塊,具體包括:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:在開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,K5A60W-VB能夠高效地控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換,適用于電力供應(yīng)和電源管理系統(tǒng),確保電力的穩(wěn)定性和效率。
2. **電動機(jī)控制**:該MOSFET適用于電動機(jī)驅(qū)動器和控制模塊,廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備和電動車輛,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電機(jī)控制和驅(qū)動,滿足高功率應(yīng)用的需求。
3. **家用電器**:在需要高電壓的家用電器中,如空調(diào)、冰箱和洗衣機(jī),K5A60W-VB能夠提供可靠的電源控制,保證設(shè)備在高負(fù)載情況下的正常運(yùn)行。
4. **照明系統(tǒng)**:K5A60W-VB非常適合用于LED照明驅(qū)動電路,尤其在高功率LED應(yīng)用中,能夠高效驅(qū)動燈具并提高系統(tǒng)的整體能效。
綜上所述,K5A60W-VB憑借其高電壓、高效能和多樣化的應(yīng)用,成為高電壓電源管理和控制解決方案的理想選擇,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12