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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K5A65DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K5A65DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介
K5A65DA-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計用于高電壓和中等電流應(yīng)用。該器件的漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,柵極電壓范圍為 ±30V,開啟電壓 (Vth) 為 3.5V。K5A65DA-VB 采用 Plannar 技術(shù),在 VGS=10V 時具有相對較低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,最大漏極電流可達(dá)到 7A。憑借其卓越的電氣性能,該MOSFET 是高效能電源轉(zhuǎn)換和控制電路的理想選擇,能夠滿足多種應(yīng)用需求。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
K5A65DA-VB MOSFET 由于其高電壓承載能力和低導(dǎo)通電阻,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊中:

1. **電源管理系統(tǒng)**:該MOSFET 適用于開關(guān)電源和電源轉(zhuǎn)換器,能夠有效處理高電壓電源輸入,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和良好的電流控制,降低整體系統(tǒng)的能耗。

2. **工業(yè)設(shè)備控制**:K5A65DA-VB 可用于各種工業(yè)自動化設(shè)備和電動機驅(qū)動控制模塊,能夠承受高達(dá) 7A 的漏極電流,提供可靠的電流輸出,確保設(shè)備穩(wěn)定運行。

3. **照明和LED驅(qū)動**:在高功率LED驅(qū)動電路和照明系統(tǒng)中,K5A65DA-VB 可以作為開關(guān)元件,能夠在高電壓和高電流條件下,穩(wěn)定控制LED的亮度,廣泛應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)照明場合。

4. **逆變器和電動工具**:此MOSFET 適合用于逆變器和電動工具等高電壓應(yīng)用,能夠在轉(zhuǎn)換和控制過程中提供高效的性能,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

綜上所述,K5A65DA-VB 是一款適合多種高電壓和中等電流應(yīng)用的MOSFET,能夠在電源管理、工業(yè)控制和照明等領(lǐng)域中提供穩(wěn)定、可靠的解決方案。

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