--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介**
K7A50D-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝設(shè)計(jì)。該器件的漏極-源極電壓(VDS)高達(dá) 650V,使其特別適用于高壓應(yīng)用。其柵極-源極電壓(VGS)為 ±30V,確保了在各種操作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。K7A50D-VB 的閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ(@ VGS=10V),能夠在高電流條件下有效降低功耗。最大漏極電流(ID)為 7A,適合中等功率的應(yīng)用。這款 MOSFET 采用平面技術(shù)(Plannar),能夠提供良好的電氣性能和熱管理。
**詳細(xì)參數(shù)說明**
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:平面工藝(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **功耗(Ptot)**:120W
- **擊穿電壓**:650V
- **最大功耗**:120W
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K7A50D-VB 適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,例如開關(guān)電源和逆變器。在這些應(yīng)用中,其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻能夠有效提升能效,減少能量損耗。
2. **照明驅(qū)動(dòng)**:該 MOSFET 可以用于高壓照明設(shè)備的驅(qū)動(dòng),如 HID 燈和 LED 照明系統(tǒng),能夠確保在高電壓下穩(wěn)定工作,提供可靠的電流控制。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:K7A50D-VB 常見于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊,適用于需要高壓和高電流控制的場合,例如自動(dòng)化機(jī)械手臂和輸送系統(tǒng)。
4. **電能計(jì)量設(shè)備**:由于其高電壓耐受能力,K7A50D-VB 也適用于電能表和電能監(jiān)測設(shè)備,幫助實(shí)現(xiàn)精確的電能計(jì)量和管理,確保設(shè)備長期穩(wěn)定運(yùn)行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛