--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - K8A50DA-VB MOSFET
K8A50DA-VB 是一款采用 **TO220F 封裝** 的 **單一N溝道MOSFET**,專(zhuān)為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 具備 **650V 的漏源電壓(VDS)** 和 **±30V 的柵源電壓(VGS)**,使其能夠在高壓環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,適合用于需要高電壓控制的場(chǎng)合。其 **閾值電壓(Vth)** 為 **3.5V**,確保MOSFET 在適當(dāng)?shù)臇烹妷合履軌蚩焖賹?dǎo)通。K8A50DA-VB 的 **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))** 為 **830mΩ**(在柵極電壓為10V時(shí)),使其在高電流(最大 **10A**)應(yīng)用中保持相對(duì)低功耗和熱量生成。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - K8A50DA-VB
- **封裝類(lèi)型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)我籒溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 830mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:10A
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
- **技術(shù)類(lèi)型**:Plannar(平面技術(shù))
- **最大功耗(Ptot)**:40W(在25°C環(huán)境下)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
K8A50DA-VB 適用于 **高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **AC-DC 電源適配器**。其650V的高電壓承載能力使其非常適合于工業(yè)電源和電力系統(tǒng),能夠有效轉(zhuǎn)換和管理高電壓電源,提升整體效率并減少能量損耗。
2. **逆變器**:
該MOSFET 在 **逆變器** 應(yīng)用中具有重要作用,特別是在太陽(yáng)能逆變器和UPS(不間斷電源)系統(tǒng)中。其高電壓和電流能力可以實(shí)現(xiàn)有效的能量轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)在各種工作條件下的可靠性。
3. **電機(jī)控制**:
K8A50DA-VB 可用于 **電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制** 系統(tǒng),例如在電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備中的中小型電機(jī)控制。它的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠有效驅(qū)動(dòng)電機(jī)并保持低熱量產(chǎn)生,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
4. **電池管理系統(tǒng)**:
該MOSFET 在 **電池管理系統(tǒng)** 中也有廣泛應(yīng)用,能夠有效控制電池充放電過(guò)程。它的高電壓能力確保在多種電池配置中使用時(shí)的安全性與高效性,適合于電動(dòng)汽車(chē)和其他可再生能源應(yīng)用。
綜上所述,K8A50DA-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域,尤其在高電壓電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、逆變器以及電池管理系統(tǒng)等方面表現(xiàn)優(yōu)越。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛