--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 – KHB7D5N60F-VB
KHB7D5N60F-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專(zhuān)為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 650V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵極-源極電壓 (VGS),適合用于電力電子及高壓設(shè)備。KHB7D5N60F-VB 的開(kāi)啟閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ @ VGS=10V,能夠提供可靠的導(dǎo)通性能?;?Plannar 技術(shù)的設(shè)計(jì),KHB7D5N60F-VB 提供出色的熱管理能力和高可靠性,適合在各種苛刻環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 – KHB7D5N60F-VB
- **封裝類(lèi)型**:TO220F
- **溝道配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar
- **最大功率耗散**:約 50W,具體取決于散熱條件
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **封裝引腳配置**:標(biāo)準(zhǔn) TO220F 封裝,便于安裝和散熱
### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**
KHB7D5N60F-VB 在開(kāi)關(guān)電源中表現(xiàn)良好,適合高電壓的 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其 650V 的耐壓和適中的導(dǎo)通電阻使得能量轉(zhuǎn)換效率高,降低了功率損耗,確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. **電動(dòng)機(jī)控制**
該 MOSFET 可用于電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用,能夠有效地驅(qū)動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)和步進(jìn)電動(dòng)機(jī)。KHB7D5N60F-VB 提供穩(wěn)定的電流控制,確保在不同負(fù)載情況下電動(dòng)機(jī)的可靠性和高效性能。
3. **逆變器**
KHB7D5N60F-VB 是逆變器設(shè)計(jì)中的理想選擇,尤其適用于可再生能源系統(tǒng)如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能逆變器。該器件能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,滿足高效電力轉(zhuǎn)換的需求。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)器**
該 MOSFET 也廣泛應(yīng)用于高功率 LED 驅(qū)動(dòng)器中,能夠穩(wěn)定地控制 LED 的工作電流,確保在各種工作條件下保持一致的亮度和性能,提高整體照明系統(tǒng)的效率。
KHB7D5N60F-VB 是高電壓應(yīng)用中一個(gè)非??煽康倪x擇,能夠在各種電力電子應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性。
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