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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MDF10N60G-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MDF10N60G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### MDF10N60G-VB 產品簡介
MDF10N60G-VB 是一款高壓 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓和高電流應用設計。其漏源電壓 (VDS) 高達 650V,適用于需要高電壓控制的場合。該器件的柵源電壓 (VGS) 可達 ±30V,能夠在復雜電路中提供穩(wěn)定的控制。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,使得該 MOSFET 在開啟時具有較低的電壓要求。在 VGS 為 10V 時,其導通電阻 (RDS(ON)) 為 830mΩ,支持高達 10A 的最大漏極電流 (ID),展現(xiàn)出卓越的導通性能和低能量損耗。MDF10N60G-VB 采用平面 (Plannar) 技術,確保良好的開關特性和熱穩(wěn)定性,適合各種高壓電源和開關應用。

### MDF10N60G-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝 (Package):** TO220F
- **配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS):** 650V
- **柵源電壓 (VGS):** ±30V
- **閾值電壓 (Vth):** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID):** 10A
- **技術 (Technology):** 平面 (Plannar)

### MDF10N60G-VB 應用領域及模塊
1. **開關電源 (SMPS)**:MDF10N60G-VB 適用于開關模式電源 (SMPS),特別是在需要高電壓和高效率的電源轉換場合,如工業(yè)電源、服務器電源等。其高耐壓特性能夠處理變換器中的大功率需求,同時保持低功耗和高轉換效率。

2. **LED 驅動電源**:在 LED 照明應用中,此 MOSFET 可用于高壓 LED 驅動電源。其出色的導通性能和高壓處理能力確保了在戶外照明和室內照明系統(tǒng)中穩(wěn)定的電流輸出,有助于延長 LED 的使用壽命并提高能效。

3. **電機驅動與逆變器**:MDF10N60G-VB 能夠在電機驅動和逆變器中提供穩(wěn)定的高壓開關功能,廣泛應用于工業(yè)自動化、家用電器、可再生能源(如風能和太陽能)等領域。這種 MOSFET 的高耐壓能力允許其在惡劣環(huán)境下工作,確保設備的高效運行。

4. **不間斷電源 (UPS)**:該 MOSFET 在不間斷電源系統(tǒng)中也非常重要,能夠處理高電壓輸入和高電流需求,保證在電力故障或切換期間,UPS 系統(tǒng)能夠快速、可靠地保持供電。

5. **工業(yè)控制設備**:在各種工業(yè)控制設備中,MDF10N60G-VB 可作為開關控制器,適用于重型機器、焊接設備等。它的高壓和大電流處理能力使其在嚴苛的操作條件下表現(xiàn)出色,確保工業(yè)設備的安全性和穩(wěn)定性。

通過其高壓處理能力、卓越的開關性能和低導通電阻,MDF10N60G-VB 是多種高壓電源轉換和控制應用的理想選擇。

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