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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MDF4N60DTH-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): MDF4N60DTH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MDF4N60DTH-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MDF4N60DTH-VB 是一款高壓 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓 (VDS) 為 650V,柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,適用于高壓、高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)合。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,保證了該器件在不同電壓條件下的開(kāi)啟性能。在 VGS 為 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ,支持 4A 的最大漏極電流 (ID)。采用平面 (Plannar) 技術(shù),該 MOSFET 提供良好的電氣穩(wěn)定性和熱性能,非常適合高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

### MDF4N60DTH-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝 (Package):** TO220F
- **配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS):** 650V
- **柵源電壓 (VGS):** ±30V
- **閾值電壓 (Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID):** 4A
- **技術(shù) (Technology):** 平面 (Plannar)

### MDF4N60DTH-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:MDF4N60DTH-VB 適用于各種高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)。其高耐壓特性使其適合工業(yè)設(shè)備和家電中大功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)合,并且可以處理高頻操作。

2. **LED 照明驅(qū)動(dòng)器**:在 LED 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,此 MOSFET 可用于 LED 驅(qū)動(dòng)器中提供可靠的電壓轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),特別是在大功率 LED 照明系統(tǒng)中。由于其高耐壓性和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性,能夠確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的能效提升。

3. **風(fēng)扇和泵控制**:在小型電機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 可以用于風(fēng)扇和水泵的高壓控制,保證了在高壓條件下的穩(wěn)定性和低損耗。這使得設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中保持良好的效率。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:MDF4N60DTH-VB 適合應(yīng)用在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,能夠處理較高的電壓和頻繁的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。在大功率電氣設(shè)備中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)控制器中,它表現(xiàn)出優(yōu)異的熱性能和開(kāi)關(guān)效率。

5. **不間斷電源 (UPS)**:在不間斷電源系統(tǒng) (UPS) 中,MDF4N60DTH-VB 可作為高壓開(kāi)關(guān)器件,處理輸入電壓變化,并在需要時(shí)迅速切換,確保關(guān)鍵負(fù)載的持續(xù)供電。

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