--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### MDF4N60D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MDF4N60D-VB 是一款高壓 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為處理高壓、大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 為 650V,適用于高壓環(huán)境中的開(kāi)關(guān)電路和功率轉(zhuǎn)換。它具備良好的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通性能,使用平面 (Plannar) 工藝技術(shù),確保在多種工業(yè)和消費(fèi)類電源管理應(yīng)用中的高效性和可靠性。其最大漏極電流 (ID) 為 4A,且導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ (在柵極電壓 VGS 為 10V 時(shí)),這使得它在高壓和低功率損耗應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。
### MDF4N60D-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **產(chǎn)品型號(hào)**: MDF4N60D-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **溝道類型**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)類型**: 平面工藝 (Plannar)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源轉(zhuǎn)換器 (Power Converters)**
MDF4N60D-VB 非常適用于高壓 AC-DC 和 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,它能夠管理高壓輸入,并有效地將其轉(zhuǎn)換為適合設(shè)備需求的低壓輸出。它在高電壓環(huán)境下具有良好的開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定性,常用于工業(yè)電源系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心電源。
2. **LED 照明系統(tǒng)**
在高壓 LED 照明系統(tǒng)中,MDF4N60D-VB MOSFET 可用來(lái)穩(wěn)定電流控制,確保 LED 驅(qū)動(dòng)電路中的高效能量傳輸。其高漏源電壓特性使其能夠適應(yīng)照明系統(tǒng)中的高壓驅(qū)動(dòng)需求,尤其適合工業(yè)照明和戶外 LED 照明應(yīng)用。
3. **工業(yè)自動(dòng)化與電機(jī)控制**
該器件能夠?yàn)楣I(yè)自動(dòng)化中的電機(jī)控制提供可靠的開(kāi)關(guān)功能,尤其適用于高電壓、低功率損耗的應(yīng)用。它可以調(diào)節(jié)電源供給的電壓和電流,確保電機(jī)在不同工況下穩(wěn)定運(yùn)行,常見(jiàn)于自動(dòng)化控制設(shè)備、電梯控制和機(jī)器人系統(tǒng)。
4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
MDF4N60D-VB 也可應(yīng)用于高壓電池管理系統(tǒng)中,尤其是電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)中的電池保護(hù)和功率控制。通過(guò)有效控制電流流動(dòng)和保護(hù)電池過(guò)壓,確保電池的安全和壽命。
5. **逆變器 (Inverters)**
在太陽(yáng)能或風(fēng)能逆變器中,MDF4N60D-VB 可作為高壓開(kāi)關(guān)元件,幫助轉(zhuǎn)換直流電為交流電,適應(yīng)高壓工作環(huán)境,提供高效的電力轉(zhuǎn)換解決方案。
MDF4N60D-VB 在這些應(yīng)用中憑借其高壓處理能力、穩(wěn)定的性能和低功耗表現(xiàn)出色,尤其適合于對(duì)高壓和穩(wěn)定性要求較高的電源轉(zhuǎn)換、控制和驅(qū)動(dòng)模塊。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛