--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### MDFS10N60DTH-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
MDFS10N60DTH-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓(VDS)為650V,柵源電壓(VGS)為±30V,柵極閾值電壓為3.5V,導通電阻為830mΩ@VGS=10V,最大連續(xù)漏極電流為10A。該MOSFET基于平面技術(shù)(Plannar),在高壓和中等功率應(yīng)用中提供可靠的電源開關(guān)和轉(zhuǎn)換性能,廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制和消費電子設(shè)備中。
---
### MDFS10N60DTH-VB 詳細參數(shù)說明
- **器件類型**:單N溝道MOSFET
- **封裝**:TO220F
- **技術(shù)**:平面工藝(Plannar)
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(導通電阻)**:
- 830mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏極電流)**:10A
- **功率耗散**:視散熱設(shè)計和應(yīng)用情況
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **特性**:
- 高耐壓(650V)適用于高壓應(yīng)用場景
- 適中的漏極電流和導通電阻滿足中等功率轉(zhuǎn)換需求
- 平面技術(shù)確保在高壓應(yīng)用中具備穩(wěn)定的開關(guān)性能和耐用性
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:
MDFS10N60DTH-VB 非常適用于開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計,特別是在需要處理高輸入電壓的場景下。其650V的耐壓特性可以處理較大的電壓擺動,提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換,同時減少能量損耗。這使其成為適用于家用電器、小型工業(yè)設(shè)備等的理想選擇。
2. **太陽能逆變器與儲能系統(tǒng)**:
該MOSFET適用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的DC-AC轉(zhuǎn)換模塊。其高耐壓和較低導通電阻可以有效支持太陽能電池板向逆變器傳輸電力的過程中,確保高效率的功率傳輸和管理。在儲能系統(tǒng)中,也可用于電力轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),提高系統(tǒng)可靠性。
3. **工業(yè)電機控制**:
在工業(yè)電機控制和驅(qū)動系統(tǒng)中,MDFS10N60DTH-VB 提供可靠的功率轉(zhuǎn)換能力,適用于中等功率的電機控制模塊。其高壓和中等電流特性使其在驅(qū)動高效電機和執(zhí)行精確的速度與扭矩控制時表現(xiàn)出色,適合用于泵、風扇和傳送帶等設(shè)備。
4. **電力調(diào)節(jié)與電網(wǎng)設(shè)備**:
在電力調(diào)節(jié)設(shè)備和電網(wǎng)系統(tǒng)中,MOSFET通常用于控制和調(diào)節(jié)電壓和電流。MDFS10N60DTH-VB 的高耐壓和良好散熱性能使其適合用于高壓電源的調(diào)節(jié)模塊中,確保系統(tǒng)安全和高效運行。
5. **LED驅(qū)動與照明系統(tǒng)**:
該MOSFET適用于LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動電源中,能夠高效地將電源轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電流,從而延長LED壽命并提高系統(tǒng)的能效。其高壓特性使其能夠承受輸入電壓的變化,并在大功率LED應(yīng)用中提供可靠的支持。
MDFS10N60DTH-VB 是一款適用于高壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的N溝道MOSFET,在電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制、太陽能發(fā)電和照明驅(qū)動系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12