--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、NDF08N50Z-VB 產(chǎn)品簡介
NDF08N50Z-VB 是一款采用 **TO-220F 封裝**的 **單 N 溝道 MOSFET**,設計用于高電壓及高電流負載的應用。該器件具有 **650V 的漏源電壓 (VDS)**,以及 ±30V 的柵源電壓 (VGS),適合電源轉(zhuǎn)換和電動機驅(qū)動等高電壓應用。該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 **680mΩ**,在最大漏極電流 **12A** 的情況下,表現(xiàn)出優(yōu)良的導通效率和熱性能。其采用的 **平面工藝技術(shù)**(Plannar)確保了器件的可靠性和穩(wěn)定性,適合長時間運行。
---
### 二、NDF08N50Z-VB 詳細參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **數(shù)值** | **說明** |
|--------------------|------------------------|------------------------------------------|
| **封裝類型** | TO-220F | 提供良好的散熱性能,適合通孔焊接應用。 |
| **MOSFET 配置** | 單 N 溝道 | 高效電流控制,適用于多種負載應用。 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V | 支持高壓應用,如電源和逆變器。 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V | 高柵極驅(qū)動裕度,增強控制能力。 |
| **開啟電壓 (Vth)** | 3.5V | 柵極電壓達到此值時,MOSFET 開始導通。 |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V | 合理的 RDS(ON) 適合多種電源管理應用。 |
| **漏極電流 (ID)** | 12A | 最大持續(xù)漏極電流,適合高電流負載。 |
| **技術(shù)類型** | 平面工藝 (Plannar) | 提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和較長的壽命。 |
---
### 三、應用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源管理與轉(zhuǎn)換器**:
- NDF08N50Z-VB 可廣泛應用于 **開關(guān)電源(SMPS)**,用于高壓直流電源轉(zhuǎn)換和管理。其高達 650V 的漏源電壓和較低的導通電阻,確保電源系統(tǒng)的效率和可靠性。
- 在 **適配器和充電器**中,作為功率開關(guān)控制部分,提高電源轉(zhuǎn)換效率,特別是在需要高功率輸出的應用中。
2. **電動機控制**:
- 該 MOSFET 適合用于 **電動機驅(qū)動**,如 **DC 電動機和步進電機控制**。其最大 12A 的漏極電流能力使其能夠處理大電流負載,滿足電機啟停和調(diào)速的需求。
- 在 **工業(yè)自動化**中,作為電機驅(qū)動模塊的一部分,提供精準的電流控制和開關(guān)性能,確保電機系統(tǒng)的高效運行。
3. **光伏及逆變器應用**:
- NDF08N50Z-VB 可在 **光伏逆變器**中用作開關(guān)器件,將光伏電池產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓能力和穩(wěn)定性使其適用于復雜的電力電子系統(tǒng)。
- 另外,在 **不間斷電源(UPS)**中,作為逆變器部分的開關(guān)元件,保證在斷電時為負載提供穩(wěn)定的電源。
---
NDF08N50Z-VB 的高電壓和電流特性使其適用于電源管理、電動機控制、光伏逆變器等多個領(lǐng)域,為各種應用提供高效和穩(wěn)定的性能。
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