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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PHX4N60E-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): PHX4N60E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### PHX4N60E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PHX4N60E-VB 是一款高電壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具有出色的熱管理性能和穩(wěn)定的電流控制能力,非常適合用于電源管理、逆變器以及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。PHX4N60E-VB 的 VDS 為 650V,使其在多種高壓環(huán)境中表現(xiàn)出色,且其 RDS(ON) 為 2560mΩ,確保在工作時(shí)的合理導(dǎo)通損耗。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: PHX4N60E-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極 N 通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)類型**: 平面技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: PHX4N60E-VB 在開關(guān)電源中可用作主開關(guān)元件,能夠在高電壓下穩(wěn)定運(yùn)行,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,確保設(shè)備的可靠性與穩(wěn)定性。

2. **逆變器**: 此 MOSFET 非常適合用于太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車逆變器,憑借其高電壓特性,可以處理逆變過(guò)程中所需的高壓負(fù)載,確保能量轉(zhuǎn)換效率。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: PHX4N60E-VB 可廣泛應(yīng)用于各類電機(jī)控制系統(tǒng),例如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)模塊。其快速開關(guān)能力能夠提高電機(jī)的響應(yīng)速度和效率,適應(yīng)不同工作條件。

4. **家電產(chǎn)品**: 該 MOSFET 可用于家用電器的功率調(diào)節(jié)和控制模塊,如洗衣機(jī)和空調(diào),保證在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定、安全地工作。

通過(guò)以上示例,可以看出 PHX4N60E-VB 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要作用,適用于高電壓和中等電流的各種電力轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)景。

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