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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RJK5026DPP-M0-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: RJK5026DPP-M0-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RJK5026DPP-M0-VB 產(chǎn)品簡介

RJK5026DPP-M0-VB 是一款高壓 N-通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計。該器件能夠承受高達(dá) 650V 的漏極源電壓 (VDS),并且具有較高的電流承載能力,最大漏極電流為 7A。這款 MOSFET 采用平面工藝 (Plannar technology) 制造,確保其在高壓環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。RJK5026DPP-M0-VB 適合用于各種電力管理和轉(zhuǎn)換電路,能夠滿足多種工業(yè)和汽車電子應(yīng)用的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:RJK5026DPP-M0-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單 N-通道
- **VDS (漏極源電壓)**:650V
- **VGS (柵源電壓)**:±30V
- **Vth (閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:1100mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**:7A
- **技術(shù)**:平面工藝 (Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

RJK5026DPP-M0-VB 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

1. **開關(guān)電源**:可用于開關(guān)電源 (SMPS) 設(shè)計中,以提高電源的效率,適合高電壓輸入的電源模塊。

2. **電動機控制**:在電動機驅(qū)動電路中,作為開關(guān)元件,可以高效地控制電動機的啟停和調(diào)速,廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備和家電。

3. **逆變器系統(tǒng)**:適用于各種逆變器應(yīng)用,包括光伏逆變器和電池管理系統(tǒng),以支持可再生能源的高效轉(zhuǎn)換。

4. **電力電子設(shè)備**:在高壓電力分配和控制系統(tǒng)中,作為重要的開關(guān)元件,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

5. **汽車電子應(yīng)用**:適合在汽車電氣系統(tǒng)中使用,包括電源管理和驅(qū)動電路,以滿足高電壓和高電流的要求。

通過這些應(yīng)用,RJK5026DPP-M0-VB 提供了高效、穩(wěn)定的解決方案,適用于各種高電壓和中等電流需求的電子系統(tǒng)。

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