--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### SMK830FC-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
SMK830FC-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的最大漏源電壓(VDS)和 7A 的最大漏電流(ID)。該 MOSFET 的閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ(在 VGS = 10V 時),適合用于中高電壓電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)電源(SMPS)、工業(yè)電源系統(tǒng)及其他需要高壓、大電流開關(guān)應(yīng)用的場合。采用 Plannar 技術(shù),SMK830FC-VB 提供了高可靠性和穩(wěn)定性,適合在高壓和高功率環(huán)境中使用,廣泛應(yīng)用于電動機驅(qū)動、電力轉(zhuǎn)換、能源管理等系統(tǒng)。
### SMK830FC-VB MOSFET 參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 10V: 1100mΩ
- **最大漏電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar
#### 主要特性:
- **高耐壓**: 最大 650V 的漏源電壓適合高壓開關(guān)應(yīng)用。
- **中等導(dǎo)通電阻**: 導(dǎo)通電阻為 1100mΩ,在 VGS = 10V 時,適合一些中等功率的電源開關(guān)應(yīng)用。
- **穩(wěn)定的工作特性**: 采用 Plannar 技術(shù),提高了 MOSFET 的可靠性與穩(wěn)定性,適用于高功率應(yīng)用。
- **較高的漏電流承載能力**: 最大漏電流為 7A,適合用于一般功率需求的應(yīng)用。
### SMK830FC-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:
- SMK830FC-VB 的最大漏源電壓為 650V,非常適用于高電壓的開關(guān)電源系統(tǒng)。在電源轉(zhuǎn)換中,該 MOSFET 可用作高效的開關(guān)元件,確保電能的高效轉(zhuǎn)換,并具有較低的開關(guān)損耗。
2. **電動機控制系統(tǒng)**:
- 在工業(yè)和家電電動機控制系統(tǒng)中,SMK830FC-VB 具有足夠的電流承載能力,能夠有效地驅(qū)動和控制電動機,特別是在需要較高電壓和穩(wěn)定電流的環(huán)境中,如電動工具、空調(diào)和其他電動設(shè)備。
3. **逆變器(Inverter)**:
- 在太陽能逆變器和電力逆變器中,SMK830FC-VB 可以用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。由于其高耐壓特性,它能夠在高電壓環(huán)境下可靠運行,適合應(yīng)用于新能源、可再生能源以及儲能系統(tǒng)中。
4. **工業(yè)電源和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)**:
- SMK830FC-VB 廣泛適用于工業(yè)電源系統(tǒng)、電力轉(zhuǎn)換模塊和電源適配器等應(yīng)用。它能夠在高電壓環(huán)境下高效地控制功率流動,滿足工業(yè)和電力設(shè)備的需求,保證系統(tǒng)的高效與安全運行。
5. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
- SMK830FC-VB 可用于高壓電池管理系統(tǒng),特別是在電動汽車(EV)和大功率儲能系統(tǒng)中。其高耐壓能力使其能夠在充放電管理過程中穩(wěn)定工作,確保電池組的安全和效率。
6. **照明和電源控制**:
- 在大型照明系統(tǒng)和電源控制系統(tǒng)中,SMK830FC-VB 可作為開關(guān)元件,用于調(diào)節(jié)電源電壓和電流,特別是在需要較高功率控制的場合,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定和高效運行。
### 總結(jié)
SMK830FC-VB 是一款具有 650V 最大漏源電壓和 7A 最大漏電流的單 N 通道 MOSFET,適用于中高電壓的電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。其 TO220F 封裝和 Plannar 技術(shù)使其能夠提供可靠的高壓開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電動機控制、逆變器、工業(yè)電源和電池管理等領(lǐng)域。盡管導(dǎo)通電阻為 1100mΩ,SMK830FC-VB 依然能夠滿足中等功率需求的應(yīng)用,提供高效的電源管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12