--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
**STP6NK60DFI-VB** 是一款 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封裝,設(shè)計(jì)用于高耐壓電力開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它具有 **650V** 的最大漏源電壓(VDS)和 **7A** 的最大漏極電流(ID),特別適合在高電壓環(huán)境下工作的電力轉(zhuǎn)換器、驅(qū)動(dòng)電路及電源管理模塊中使用。該型號(hào)采用 **Plannar** 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻(**RDS(ON)=1100mΩ** 在 **VGS=10V** 下),可以提供高效能的電流開(kāi)關(guān),降低功率損耗。其 **Vth**(門源閾值電壓)為 **3.5V**,確保在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓下可以有效工作。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **型號(hào)**:STP6NK60DFI-VB
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓(VDS)**:650V
- **最大門源電壓(VGS)**:±30V
- **門源閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- **1100mΩ**(在 **VGS=10V** 時(shí))
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **最大功率耗散**:75W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **技術(shù)類型**:Plannar
- **特點(diǎn)**:
- 高耐壓能力,適用于 **650V** 應(yīng)用
- 低導(dǎo)通電阻,降低開(kāi)關(guān)損耗
- 高效能開(kāi)關(guān)特性,適用于高電流場(chǎng)合
- 可用于高電壓功率轉(zhuǎn)換
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例:
1. **電源管理與轉(zhuǎn)換:**
- **模塊示例**:DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 電源適配器、開(kāi)關(guān)電源
- **應(yīng)用說(shuō)明**:STP6NK60DFI-VB 的 **650V** 最大漏源電壓使其適合用于高電壓電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。特別是在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **AC-DC 電源適配器** 中,該MOSFET的 **RDS(ON)** 為 **1100mΩ**,可高效開(kāi)關(guān)電流,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、電力電子和消費(fèi)電子中。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制:**
- **模塊示例**:電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
- **應(yīng)用說(shuō)明**:STP6NK60DFI-VB 可在 **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器** 和 **伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)** 中發(fā)揮作用,尤其是在需要高電壓、高電流的場(chǎng)合。其 **650V** 的耐壓能力和 **7A** 的電流能力使其在高功率電動(dòng)機(jī)控制中提供穩(wěn)定、可靠的開(kāi)關(guān)。適用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人控制、空調(diào)電動(dòng)機(jī)等場(chǎng)合。
3. **工業(yè)電力系統(tǒng):**
- **模塊示例**:變頻器、電力調(diào)節(jié)器
- **應(yīng)用說(shuō)明**:該型號(hào)MOSFET在 **變頻器** 和 **電力調(diào)節(jié)器** 等工業(yè)電力系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用,能夠高效控制電流和電壓,減少轉(zhuǎn)換損失,提高電力系統(tǒng)的整體效率。STP6NK60DFI-VB 可在工業(yè)電力系統(tǒng)中承受高電壓的工作環(huán)境,滿足電力設(shè)備的嚴(yán)格要求。
4. **汽車電源管理:**
- **模塊示例**:電池管理系統(tǒng)(BMS)、車載電源模塊
- **應(yīng)用說(shuō)明**:STP6NK60DFI-VB 也適用于 **汽車電池管理系統(tǒng)** 和 **車載電源模塊**,尤其是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)中。該MOSFET能夠提供高效的電池充放電管理,穩(wěn)定的電壓和電流控制對(duì)于確保車輛電源系統(tǒng)的高效運(yùn)行至關(guān)重要。
5. **家電與消費(fèi)電子:**
- **模塊示例**:空調(diào)、電視、家電電源模塊
- **應(yīng)用說(shuō)明**:在 **空調(diào)** 和其他家電產(chǎn)品的電源控制中,STP6NK60DFI-VB 提供高效的電力轉(zhuǎn)換,保證設(shè)備在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。其 **650V** 的耐壓能力和較低的導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗,提高家電產(chǎn)品的能效,滿足市場(chǎng)對(duì)節(jié)能、環(huán)保的需求。
### 總結(jié):
**STP6NK60DFI-VB** 是一款適用于高電壓、高功率應(yīng)用的 **N-Channel MOSFET**,具有 **650V** 的最大耐壓能力和 **7A** 的最大電流能力,采用 **Plannar** 技術(shù)。該型號(hào)MOSFET適合在電源管理、電動(dòng)機(jī)控制、工業(yè)電力、汽車電源管理以及家電領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高效能開(kāi)關(guān)特性使其成為高壓開(kāi)關(guān)和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛