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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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TSF10N60S-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: TSF10N60S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**TSF10N60S-VB** 是一款 **單極 N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 **650V**,柵源電壓(VGS)為 **±30V**,在 **VGS=10V** 時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 **830mΩ**,最大漏極電流(ID)為 **10A**。該 MOSFET 采用 **Plannar 技術(shù)**,適合處理高電壓、高功率的開關(guān)和功率控制應(yīng)用。

**TSF10N60S-VB** 的高擊穿電壓和較高的導(dǎo)通電阻使其適用于大功率設(shè)備和電力系統(tǒng),特別是在需要較高電壓保護和電流控制的場合,如 **電源供應(yīng)器**、**照明控制系統(tǒng)**、以及 **電動機驅(qū)動電路**。其 **650V 的 VDS** 能夠滿足工業(yè)設(shè)備和電力系統(tǒng)的高電壓要求,同時保證電流開關(guān)的穩(wěn)定性和可靠性。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單極 N-Channel MOSFET  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - **在 VGS=10V 時**:830mΩ  
- **最大漏極電流 (ID)**:10A  
- **功率損耗 (Pd)**:75W(典型工作條件下)  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  
- **最大結(jié)溫**:150°C  
- **柵源電流限制**:±20mA  
- **開關(guān)速度**:適用于高頻開關(guān)  
- **技術(shù)**:Plannar 技術(shù)

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **開關(guān)電源(Switching Power Supplies)**  
  **TSF10N60S-VB** 適用于 **開關(guān)電源(SMPS)** 中,尤其是在高電壓和高功率應(yīng)用中。650V 的耐壓使其能夠處理高壓輸入,同時低的導(dǎo)通電阻(830mΩ)保證了在高電流下的效率和穩(wěn)定性。它在直流-交流轉(zhuǎn)換、逆變器、以及高效電源模塊中表現(xiàn)出色,有助于提升電源系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。

2. **電機驅(qū)動(Motor Drivers)**  
  在 **電機驅(qū)動** 應(yīng)用中,**TSF10N60S-VB** 可用于控制電機的啟動、停止和反轉(zhuǎn)。由于其高 **VDS(650V)** 和 **大電流處理能力(10A)**,它非常適合用于 **工業(yè)電動機**、**家用電器** 和 **電動工具** 的驅(qū)動電路。在這些系統(tǒng)中,MOSFET 作為開關(guān)器件,能夠高效地控制電機電流,同時降低能量損失。

3. **照明控制(Lighting Control Systems)**  
  **TSF10N60S-VB** 還廣泛應(yīng)用于 **照明控制系統(tǒng)**,如 **LED驅(qū)動電路** 和 **調(diào)光控制器**。高電壓的容忍能力和低導(dǎo)通損耗特性使其能夠有效地控制照明設(shè)備的功率,提供穩(wěn)定可靠的電力供給,特別是在高電壓應(yīng)用中,如 **舞臺照明** 或 **街道照明**。

4. **功率因數(shù)校正(Power Factor Correction, PFC)電路**  
  在 **功率因數(shù)校正**(PFC)電路中,**TSF10N60S-VB** 能夠提供高電壓保護和低導(dǎo)通損耗,幫助優(yōu)化電流波形,提高系統(tǒng)的功率因數(shù),并確保更高的能效。其耐高壓性能特別適合用在要求高電壓的場合,提升電源系統(tǒng)的整體效能。

5. **逆變器(Inverters)**  
  在 **逆變器** 系統(tǒng)中,**TSF10N60S-VB** 被廣泛用于太陽能逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中。其 **650V** 的耐壓和 **10A** 的電流能力使其能夠處理來自 **太陽能板** 或 **風(fēng)力發(fā)電機** 的高電壓輸入。該 MOSFET 的高效能確保了在電力轉(zhuǎn)換過程中能量的有效利用和高效輸出。

6. **工業(yè)自動化(Industrial Automation)**  
  在 **工業(yè)自動化** 中,**TSF10N60S-VB** 可用于各種控制系統(tǒng)中,如 **電源模塊**、**PLC 電源供應(yīng)**、以及 **自動化設(shè)備** 的驅(qū)動控制。其高電壓容忍性和穩(wěn)定性使其在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異,確保設(shè)備在高負(fù)載和復(fù)雜的操作環(huán)境下可靠工作。

7. **UPS(不間斷電源)系統(tǒng)**  
  在 **UPS(不間斷電源)** 系統(tǒng)中,**TSF10N60S-VB** 可用作功率開關(guān),確保電池和電源在停電或電壓不穩(wěn)時為負(fù)載提供電力。其 **650V** 的耐壓能力和 **10A** 的電流支持使其適合在高電壓、大功率的應(yīng)用中提供穩(wěn)定的電源輸出。

8. **電氣保護裝置(Electrical Protection Circuits)**  
  該 MOSFET 在 **電氣保護裝置** 中也能提供良好的性能,能夠幫助保護電路免受高電壓沖擊。在需要大電流和高電壓保護的電源系統(tǒng)中,**TSF10N60S-VB** 能確保設(shè)備的安全運行,防止過電壓或過電流損壞設(shè)備。

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### 總結(jié)

**TSF10N60S-VB** 是一款 **高電壓、高電流** 的 **N-Channel MOSFET**,具有 **650V 的最大漏源電壓** 和 **830mΩ 的導(dǎo)通電阻**,專為高功率和高電壓的開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。它適用于 **開關(guān)電源、逆變器、功率因數(shù)校正電路、電機驅(qū)動、照明控制、UPS 系統(tǒng)等** 高效能設(shè)備中。在這些領(lǐng)域中,**TSF10N60S-VB** 能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換,并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性與高效能運行。

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