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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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UT14N65F-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): UT14N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### **UT14N65F-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

UT14N65F-VB 是一款單N型MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏源電壓(VDS)和12A的最大漏極電流(ID)。其采用平面(Plannar)技術(shù),適用于高電壓和中等功率應(yīng)用。該型號(hào)的閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為680mΩ@VGS=10V,適合用在需要較高電壓承受能力和適中導(dǎo)通損耗的場合。UT14N65F-VB MOSFET具有寬泛的柵源電壓(VGS:±30V),能夠在較寬的輸入電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、逆變器及高電壓電路中。

### **UT14N65F-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明**

- **封裝**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel(單N型通道)
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
 - 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar(平面技術(shù))

### **UT14N65F-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例**

1. **高壓電源管理**
  - 由于UT14N65F-VB的650V VDS,適用于高壓電源管理系統(tǒng),如電力轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源。在這些應(yīng)用中,MOSFET的高耐壓特性和中等導(dǎo)通電阻可以有效提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,確保電力的可靠傳輸。

2. **太陽能逆變器**
  - 在太陽能逆變器中,UT14N65F-VB可用于直流電轉(zhuǎn)交流電的電力轉(zhuǎn)換模塊。由于其高VDS,能夠在高電壓環(huán)境下工作,提供可靠的電流開關(guān)性能,確保逆變器的高效能和長壽命。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制**
  - 在工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,UT14N65F-VB的高電壓承載能力和較低的導(dǎo)通電阻使其非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和控制器。其可在高功率驅(qū)動(dòng)下提供穩(wěn)定的開關(guān)操作,保證電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行。

4. **UPS(不間斷電源)系統(tǒng)**
  - 在UPS系統(tǒng)中,UT14N65F-VB能夠提供高效的電力轉(zhuǎn)換和能量存儲(chǔ)保護(hù),尤其在高電壓下,其低導(dǎo)通損耗可以有效降低能量損失,提高系統(tǒng)效率。用于電池充電器、電力傳輸?shù)汝P(guān)鍵部分。

5. **電動(dòng)汽車(EV)充電系統(tǒng)**
  - 該MOSFET在電動(dòng)汽車的充電系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,尤其在高電壓快速充電過程中。UT14N65F-VB能夠處理高電壓和大電流,保障快速、高效的電池充電,同時(shí)減少熱損耗。

6. **開關(guān)電源與逆變器模塊**
  - 在高頻開關(guān)電源和逆變器模塊中,UT14N65F-VB因其平面技術(shù)和650V耐壓,可以用于高功率電源轉(zhuǎn)換、功率調(diào)節(jié)及電流控制,適合用于大功率電源或高頻率電子設(shè)備。

這些應(yīng)用展示了UT14N65F-VB MOSFET的高效能和高耐壓特性,使其在多個(gè)領(lǐng)域,如電力轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、電源管理等應(yīng)用中,提供穩(wěn)定可靠的性能。

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