--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR024TRPBF-VB 是一款高效能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 能夠承受高達(dá) 60V 的漏源電壓(VDS),并提供最高 18A 的漏極電流(ID)。IRFR024TRPBF-VB 使用 Trench 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)性能。在 VGS=10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 73mΩ,使其在高效能應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。其典型的開(kāi)啟電壓(Vth)為 1.7V,能夠在較低的柵源電壓下可靠開(kāi)啟。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **器件類型**:N 溝道 MOSFET
2. **封裝類型**:TO252
3. **漏源電壓 (VDS)**:60V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V
5. **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:1.7V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**:18A
8. **技術(shù)類型**:Trench
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
IRFR024TRPBF-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域和應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異:
1. **電源管理與開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:在電源管理模塊中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源(SMPS),IRFR024TRPBF-VB 可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高系統(tǒng)效率,降低功率損耗,增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性。
2. **工業(yè)自動(dòng)化與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠有效處理高電流負(fù)載,提供可靠的開(kāi)關(guān)性能。適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源控制和開(kāi)關(guān)電路,確保高效的電流控制和系統(tǒng)可靠性。
3. **電動(dòng)汽車(EV)和充電系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和充電器中,IRFR024TRPBF-VB 可以處理中等電壓和高電流應(yīng)用。其高效能和低導(dǎo)通電阻使其適合用于充電器的高效開(kāi)關(guān)控制,確保充電過(guò)程的穩(wěn)定性和電池的長(zhǎng)壽命。
4. **消費(fèi)電子設(shè)備**:在各種消費(fèi)電子設(shè)備中,如筆記本電腦和電動(dòng)工具,IRFR024TRPBF-VB 可以用作電源開(kāi)關(guān)和電池管理,提供高效的電源控制和低功耗,提升設(shè)備性能和電池壽命。
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