--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR120ATM-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計(jì)用于中等電壓和中等電流應(yīng)用。該 MOSFET 支持最高 100V 的漏源電壓(VDS),并能處理高達(dá) 15A 的漏極電流(ID)。IRFR120ATM-VB 使用 Trench 技術(shù),具有相對(duì)低的導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能。在 VGS=10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ,能夠有效降低功率損耗和提升系統(tǒng)效率。其典型的開啟電壓(Vth)為 1.8V,能夠在較低的柵源電壓下可靠開啟。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
1. **器件類型**:N 溝道 MOSFET
2. **封裝類型**:TO252
3. **漏源電壓 (VDS)**:100V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V
5. **開啟電壓 (Vth)**:1.8V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**:15A
8. **技術(shù)類型**:Trench
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
IRFR120ATM-VB 的特性使其適用于多個(gè)領(lǐng)域和應(yīng)用:
1. **電源管理和開關(guān)電路**:在各種電源管理應(yīng)用中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源(SMPS),IRFR120ATM-VB 可用于負(fù)載開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換。其適中的導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高系統(tǒng)的整體效率,降低功率損耗,并提升電源轉(zhuǎn)換性能。
2. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化控制模塊,該 MOSFET 可用于高效的電源開關(guān)和控制。它能夠可靠地處理中等電壓和電流負(fù)載,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能。
3. **電動(dòng)汽車和充電系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的充電器和電池管理系統(tǒng)中,IRFR120ATM-VB 可以用于高效的電流開關(guān),支持電池的充電和放電過程。其低導(dǎo)通電阻能夠有效減少充電過程中的功率損耗,提升充電效率。
4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦、電視和電動(dòng)工具,IRFR120ATM-VB 可用于電源開關(guān)和電池管理系統(tǒng)。它的高電流處理能力和較低的功耗使其適合于各種設(shè)備的電源控制,提高設(shè)備的性能和壽命。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛