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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR120TR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR120TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR120TR-VB 產(chǎn)品簡介  
IRFR120TR-VB 是一款采用 TO252 封裝的 N-溝道 MOSFET,基于先進的 Trench 技術設計。該型號具有 100V 的最大漏極-源極電壓(VDS)和 15A 的最大漏極電流(ID),同時提供低導通電阻 (RDS(ON)),確保高效的開關性能和低功耗。IRFR120TR-VB 專為要求高電壓和中等電流處理的應用而設計,適用于電源管理、工業(yè)控制和電機驅動等領域。

### 二、IRFR120TR-VB 詳細參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO252  
- **極性**:N-溝道  
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:100V  
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:15A  
- **技術**:Trench(溝槽技術)  
- **功耗**:50W  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C  
- **柵極電荷 (Qg)**:典型值為 35nC  
- **輸入電容 (Ciss)**:1200pF  
- **反向恢復電荷 (Qrr)**:典型值 28nC  
- **典型工作頻率**:高于100kHz

### 三、應用領域與模塊  
IRFR120TR-VB 的中等電流處理能力和低導通電阻特性使其成為多種應用中的理想選擇,尤其是在電源管理、工業(yè)控制以及電機驅動等領域:

1. **電源管理**  
  在電源管理系統(tǒng)中,例如 DC-DC 轉換器和穩(wěn)壓電路,IRFR120TR-VB 能夠提供高效的開關性能,確保系統(tǒng)中的功率傳輸高效且能量損失最小,特別適用于要求中等功率輸出的系統(tǒng)。

2. **電機驅動器**  
  IRFR120TR-VB 非常適合用于小型電機控制器和步進電機驅動器。這些驅動器通常要求 MOSFET 能夠承受較高的電壓,同時具有低導通電阻以減少電機控制中的能量損耗和熱量積聚。

3. **照明系統(tǒng)(LED 驅動器)**  
  在 LED 照明應用中,IRFR120TR-VB 的高效開關特性可顯著提高 LED 驅動電路的效率,幫助降低功耗并延長系統(tǒng)使用壽命。其穩(wěn)定的性能使其在大功率 LED 驅動模塊中表現(xiàn)出色。

4. **工業(yè)自動化和控制**  
  該 MOSFET 適用于工業(yè)控制系統(tǒng),例如自動化設備和電源模塊中的開關器件。IRFR120TR-VB 在這些應用中可提供高效且可靠的電源控制,支持復雜的工業(yè)操作。

5. **UPS 和逆變器**  
  在不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)和逆變器應用中,IRFR120TR-VB 的中等電流處理能力和高開關頻率可用于保護設備免受電源故障的影響,并確保電力傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

綜上所述,IRFR120TR-VB 作為一款中等功率 MOSFET,適合廣泛的應用場景,尤其是在電源管理、電機驅動、LED 照明以及工業(yè)控制等領域,能夠有效提升系統(tǒng)性能并優(yōu)化功耗。

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