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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR12N25DTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR12N25DTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR12N25DTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IRFR12N25DTRPBF-VB 是一款高電壓、高電流的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。它具有250V的漏源極電壓(VDS)和17A的漏極電流(ID),適合中高電壓和中等電流的應(yīng)用。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時(shí)為176mΩ。其高電壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻使其在高電壓場(chǎng)合中的開關(guān)操作表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效管理功率和提高系統(tǒng)的可靠性。

### IRFR12N25DTRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號(hào)**: IRFR12N25DTRPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 250V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 176mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 17A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之間

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRFR12N25DTRPBF-VB 的250V耐壓能力使其非常適合用于高電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,它能夠有效地開關(guān)高電壓負(fù)載,同時(shí)保持較低的導(dǎo)通電阻,從而提升轉(zhuǎn)換器的效率和穩(wěn)定性。

2. **電源管理系統(tǒng)**: 在需要處理高電壓的電源管理系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)(BMS)和工業(yè)電源模塊,該MOSFET的高電壓和中等電流處理能力提供了高效的開關(guān)解決方案,確保電源系統(tǒng)的可靠性和性能。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**: IRFR12N25DTRPBF-VB 可以用于電動(dòng)汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,尤其是那些需要高電壓和中等電流的應(yīng)用。其高電壓承受能力和有效的電流控制性能,使其能夠在電機(jī)控制中穩(wěn)定運(yùn)行,提供高效的驅(qū)動(dòng)性能。

4. **LED驅(qū)動(dòng)器和照明控制**: 在LED照明系統(tǒng)中,特別是那些需要高電壓驅(qū)動(dòng)的LED應(yīng)用,IRFR12N25DTRPBF-VB 能夠穩(wěn)定地處理較高的電壓,并有效地控制LED的驅(qū)動(dòng)電流,從而確保LED系統(tǒng)的可靠性和亮度一致性。

IRFR12N25DTRPBF-VB 以其高電壓耐受能力和中等電流處理能力,廣泛應(yīng)用于高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及LED照明控制等領(lǐng)域,為這些應(yīng)用提供高效能和可靠性。

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