--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRFR3704ZCPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于低電壓高電流應(yīng)用。其漏極源極電壓(VDS)為20V,最大漏極電流(ID)高達(dá)100A,且導(dǎo)通電阻極低。該器件采用Trench技術(shù),具有出色的開關(guān)性能和低損耗特性,非常適合用于需要高效電流傳輸?shù)膽?yīng)用場(chǎng)合。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: IRFR3704ZCPBF-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **低壓高電流電源管理**:
- 由于IRFR3704ZCPBF-VB的極低導(dǎo)通電阻和高電流能力,它在低壓、高電流的電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。其4.5mΩ的導(dǎo)通電阻(VGS = 4.5V)在電流傳輸過(guò)程中極大減少了損耗,適合用于高效電源開關(guān)和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
- 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET作為主要開關(guān)元件,可以提高電壓轉(zhuǎn)換的效率和穩(wěn)定性。其100A的高電流能力和極低導(dǎo)通電阻確保了高功率轉(zhuǎn)換,特別適用于服務(wù)器、通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等需要高效轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:
- IRFR3704ZCPBF-VB適合用于需要高電流控制的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。它能夠在低電壓條件下驅(qū)動(dòng)高電流電機(jī),確保電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行的平穩(wěn)性,同時(shí)由于其低導(dǎo)通電阻,減少了熱損耗并提高了效率。
4. **電池管理系統(tǒng)**:
- 在電池管理和保護(hù)系統(tǒng)中,該MOSFET能夠在低壓電池系統(tǒng)中高效地控制電流的傳輸和管理。它的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于電池充放電管理模塊,確保高效的能量傳輸和電池壽命的延長(zhǎng)。
這些應(yīng)用示例表明IRFR3704ZCPBF-VB適用于低壓高電流的各類領(lǐng)域,尤其是在電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)中,能夠提供高效且可靠的性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛