--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRFR3709TRRPBF-VB** 是一款高性能的N-Channel MOSFET,采用TO252封裝。它設(shè)計(jì)用于低電壓、高電流應(yīng)用,結(jié)合了極低的導(dǎo)通電阻和高耐壓特性。該MOSFET采用Trench技術(shù),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和高效的電流處理能力,適用于對(duì)功率效率和熱管理要求較高的電子設(shè)備。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**:IRFR3709TRRPBF-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰-Channel
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- IRFR3709TRRPBF-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在高效開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其超低的導(dǎo)通電阻能夠顯著降低功耗,提高系統(tǒng)的整體效率,對(duì)于需要高電流和低熱量的應(yīng)用尤為適合。
2. **電動(dòng)汽車(EV)**:
- 在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,該MOSFET 的高電流處理能力和高耐壓特性使其成為理想選擇。它可以處理高負(fù)載電流,確保電池和電機(jī)的穩(wěn)定工作,提升車輛的整體性能和安全性。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:
- 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,如電機(jī)控制和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,IRFR3709TRRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性使其能夠處理高功率負(fù)載,確保設(shè)備的可靠性和高效性。這對(duì)于需要高頻次開(kāi)關(guān)操作的應(yīng)用尤為重要。
4. **通信設(shè)備**:
- 在通信設(shè)備,如基站和網(wǎng)絡(luò)交換設(shè)備中,該MOSFET 能夠有效管理高電流信號(hào)傳輸,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高性能。其低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性有助于降低系統(tǒng)的功耗和熱量,延長(zhǎng)設(shè)備壽命。
這些應(yīng)用領(lǐng)域充分利用了IRFR3709TRRPBF-VB 的高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性,使其成為多種高性能電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛