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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR3711ZPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR3711ZPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRFR3711ZPBF-VB** 是一款高性能的N-Channel MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET結(jié)合了極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),提供高效的開(kāi)關(guān)性能和低熱量生成,適合各種對(duì)功率效率和可靠性要求較高的電子系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:IRFR3711ZPBF-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰-Channel
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:20V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS = 2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理模塊**:
  - IRFR3711ZPBF-VB 在電源管理模塊中提供高效的電流控制,特別是在開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其超低的導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗和發(fā)熱,從而提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性,適合于高效能電源解決方案。

2. **電動(dòng)汽車(chē)(EV)**:
  - 在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合處理高功率負(fù)載。它能夠處理電池充放電過(guò)程中大電流需求,確保系統(tǒng)的安全性和性能。

3. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**:
  - 在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,IRFR3711ZPBF-VB 提供了可靠的高電流處理能力和低熱量生成。其高效能和耐用性使其適用于高負(fù)載和高頻次開(kāi)關(guān)操作的環(huán)境。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  - 在消費(fèi)電子產(chǎn)品,如計(jì)算機(jī)和家用電器中,該MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了設(shè)備的高效能和長(zhǎng)壽命。它能夠有效管理電源開(kāi)關(guān),減少功耗并提升設(shè)備的可靠性。

通過(guò)結(jié)合其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和緊湊的封裝,IRFR3711ZPBF-VB 適用于各種要求高效能、低功耗的電子系統(tǒng),滿(mǎn)足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)性能和可靠性的嚴(yán)格要求。

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