--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介:
IRFR7446PBF-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝類型為TO252,采用先進的Trench技術(shù)。這款MOSFET具備高電流處理能力和超低導(dǎo)通電阻,非常適合要求高效率和高功率密度的應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)為40V,能夠支持高達85A的漏極電流。MOSFET的柵源電壓(VGS)額定值為±20V,門極閾值電壓為2.5V。在VGS為4.5V時,其導(dǎo)通電阻為6mΩ,而在VGS為10V時,導(dǎo)通電阻進一步降低至5mΩ。該器件的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在功率開關(guān)和功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
### 2. 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 6mΩ @ VGS=4.5V,5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)類型**: Trench
### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
- **電源轉(zhuǎn)換器**:IRFR7446PBF-VB在DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源模塊中表現(xiàn)出色。其超低的導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用作高效開關(guān),能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)的能效和可靠性。
- **汽車電氣系統(tǒng)**:在汽車電子系統(tǒng)中,如車載電源、智能充電器以及電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)中,這款MOSFET可以提供穩(wěn)定的電流控制和高效的開關(guān)能力。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在汽車環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作。
- **電機控制**:在電機驅(qū)動和控制模塊中,如工業(yè)電機和無刷直流電機(BLDC)驅(qū)動器中,IRFR7446PBF-VB能夠提供快速的開關(guān)響應(yīng)和高效的功率管理。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)的動態(tài)性能和可靠性。
- **功率放大器**:該MOSFET適用于功率放大器模塊中,特別是在高功率RF放大器和音頻功率放大器中。其超低的導(dǎo)通電阻有助于降低功率損失,提升放大器的總體效率和性能。
這些應(yīng)用示例展示了IRFR7446PBF-VB在多個高功率和高效率的應(yīng)用領(lǐng)域中的廣泛適用性,能夠滿足對高電流和低導(dǎo)通電阻的嚴格要求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12