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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR110ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR110ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR110ATM-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR110ATM-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于中等電壓和電流的應(yīng)用。該MOSFET 支持最大100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),具有1.8V的柵閾值電壓(Vth)。其導(dǎo)通電阻為114mΩ@VGS=10V,最大漏極電流為15A。IRLR110ATM-VB 使用了Trench(溝槽)技術(shù),提供了低導(dǎo)通損耗和優(yōu)秀的開關(guān)性能,非常適合用于各種需要中等電壓和電流的應(yīng)用場合。

### IRLR110ATM-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 15A  
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽)技術(shù)  
- **最大功率耗散 (PD)**: 1.6W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
- **封裝引腳**: 三引腳(Drain, Gate, Source)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**
  - IRLR110ATM-VB 在電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適用于開關(guān)電源中的開關(guān)開關(guān)操作。它可以用于控制電流路徑,提高電源轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、LED驅(qū)動(dòng)器以及各種電源適配器中。

2. **負(fù)載開關(guān)**
  - 在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IRLR110ATM-VB 可以用作開關(guān)元件來控制負(fù)載的開關(guān)狀態(tài)。例如,在家用電器和工業(yè)設(shè)備中,它可以實(shí)現(xiàn)負(fù)載的高效開關(guān)控制,確保設(shè)備正常運(yùn)行并提高整體系統(tǒng)的可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
  - IRLR110ATM-VB 適合用于中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。它可以用來控制電機(jī)的啟停和調(diào)速,在電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車和家電中的電機(jī)控制系統(tǒng)中提供高效的開關(guān)操作和穩(wěn)定性。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,IRLR110ATM-VB 作為開關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定。它的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適合用于電壓調(diào)節(jié)模塊和電源管理系統(tǒng),確保穩(wěn)定的電壓輸出和高效的功率轉(zhuǎn)換。

IRLR110ATM-VB 是一款功能強(qiáng)大的N溝道MOSFET,憑借其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用場合。其優(yōu)秀的開關(guān)性能和可靠性使其在各種電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。

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