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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR130ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR130ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR130ATM-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR130ATM-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝,適合于處理中到高電壓的應(yīng)用。其最大漏源電壓 (VDS) 為 100V,支持的柵極驅(qū)動電壓 (VGS) 為 ±20V。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.8V,確保在較低柵極電壓下也能有效開啟。IRLR130ATM-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 114mΩ,支持最大連續(xù)漏極電流 (ID) 達 15A。使用 Trench 技術(shù)的 IRLR130ATM-VB 提供了高效的開關(guān)性能和低功耗特性,適用于各種功率控制和開關(guān)應(yīng)用。

### IRLR130ATM-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-252
- **溝道配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 15A
- **功耗 (PD)**: 2W(估算,取決于散熱條件)
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)
- **開關(guān)頻率**: 適用于中高頻開關(guān)應(yīng)用
- **結(jié)溫范圍**: -55°C 至 +150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  IRLR130ATM-VB 的高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于電源管理系統(tǒng)中,如電源開關(guān)和轉(zhuǎn)換器。它能夠有效地管理電源的開關(guān),優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率,并減少功耗,在計算機電源、工業(yè)電源和消費電子產(chǎn)品中有廣泛應(yīng)用。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IRLR130ATM-VB 可以作為開關(guān)元件,提供高效的電壓轉(zhuǎn)換。其較低的導(dǎo)通電阻幫助減少轉(zhuǎn)換器中的功耗,提高整體能效,適用于各種電子設(shè)備,包括電源適配器和通信設(shè)備。

3. **電機驅(qū)動電路**  
  由于其能夠處理較高電壓和電流,IRLR130ATM-VB 適合用于電機驅(qū)動電路。在電機啟動、運行和停止過程中,該 MOSFET 提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和低功耗,適合用于汽車電機和工業(yè)電機控制系統(tǒng)。

4. **負載開關(guān)**  
  IRLR130ATM-VB 適用于各種負載開關(guān)應(yīng)用,如電池開關(guān)、負載斷開和連接控制。其高電流處理能力和低 RDS(ON) 確保負載開關(guān)的高效性能,適合用于LED照明、電池保護電路和其他負載控制應(yīng)用。

5. **汽車電子**  
  在汽車電子系統(tǒng)中,IRLR130ATM-VB 可以用作車載負載開關(guān)和功率管理組件。其可靠的開關(guān)性能和高電流處理能力提高了汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率,適合用于車載電源、燈光控制和電動窗戶等應(yīng)用。

IRLR130ATM-VB 的高電壓耐受性、低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定性能使其在多種應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別適合于需要高效功率控制和開關(guān)的場景。

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