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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR230ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR230ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR230ATM-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR230ATM-VB 是一款高耐壓N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。它設(shè)計用于需要高電壓耐受能力的應(yīng)用場景,具備200V的最大漏源電壓(VDS)。該MOSFET 具有最大漏極電流10A,并支持柵源電壓(VGS)為±20V。IRLR230ATM-VB 的導(dǎo)通電阻在VGS=10V時為245mΩ,這使其在高電壓應(yīng)用中保持良好的開關(guān)性能和可靠的功率管理。采用Trench技術(shù),該MOSFET 提供了優(yōu)異的電流承載能力和熱管理特性,適合各種需要高耐壓和中等電流的應(yīng)用場合。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **通道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)類型**: Trench技術(shù)
- **最大功耗**: 依據(jù)具體散熱設(shè)計,功耗應(yīng)根據(jù)實際應(yīng)用場景進行管理。
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

1. **高壓電源管理**: IRLR230ATM-VB 在高壓電源管理系統(tǒng)中非常適用。由于其200V的高耐壓能力,該MOSFET 可用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和電源開關(guān)等應(yīng)用,以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

2. **電流控制**: 在需要控制高電流負載的應(yīng)用中,IRLR230ATM-VB 的10A最大漏極電流能力使其適合用于電機驅(qū)動、電流開關(guān)和繼電器驅(qū)動等電流控制模塊。

3. **高電壓負載開關(guān)**: 該MOSFET 適用于高電壓負載開關(guān)應(yīng)用,包括開關(guān)電源、工業(yè)設(shè)備中的負載開關(guān)等。其高電壓耐受能力和中等電流處理能力使其能夠有效地管理和開關(guān)高電壓負載。

4. **汽車電子系統(tǒng)**: 在汽車電子系統(tǒng)中,如電池管理和電力分配系統(tǒng),IRLR230ATM-VB 提供了高耐壓的開關(guān)解決方案,適用于需要高電壓保護的汽車電子應(yīng)用。

5. **工業(yè)控制和自動化**: 在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,IRLR230ATM-VB 可以用來驅(qū)動高電壓設(shè)備和控制電機。其高電壓和電流處理能力確保了工業(yè)設(shè)備的穩(wěn)定和可靠運行。

總之,IRLR230ATM-VB 是一款適用于高電壓和中等電流應(yīng)用的N溝道MOSFET,其高耐壓能力、合理的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)性能使其在高壓電源管理、電流控制、高電壓負載開關(guān)、汽車電子系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。

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