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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR230A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR230A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR230A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR230A-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝,專為處理高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 可達(dá) 200V,柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS) 為 ±20V。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 3V,確保在中等柵極電壓下即可開啟。IRLR230A-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 245mΩ,支持最大連續(xù)漏極電流 (ID) 達(dá) 10A。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),提供了可靠的開關(guān)性能和高效的功率管理能力,適用于各種高電壓和高功率應(yīng)用場景。

### IRLR230A-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-252
- **溝道配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 245mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 10A
- **功耗 (PD)**: 2W(估算,取決于散熱條件)
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)
- **開關(guān)頻率**: 適用于中等頻率開關(guān)應(yīng)用
- **結(jié)溫范圍**: -55°C 至 +150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高電壓電源管理**  
  IRLR230A-VB 的高漏源電壓使其非常適合用于高電壓電源管理系統(tǒng)。它能夠處理較大的電壓范圍,并提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器和電源保護(hù)電路中。

2. **工業(yè)功率開關(guān)**  
  在工業(yè)應(yīng)用中,IRLR230A-VB 可以作為高電壓功率開關(guān)使用。其較高的電壓耐受能力和良好的開關(guān)性能使其適合用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)和功率控制系統(tǒng)。

3. **高壓直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  IRLR230A-VB 適合用于高壓直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。它能夠有效地控制電機(jī)的開關(guān)和調(diào)速,適合用于需要高電壓電源的電動(dòng)汽車、機(jī)器人和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。

4. **功率轉(zhuǎn)換器**  
  在高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IRLR230A-VB 的高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻幫助提高轉(zhuǎn)換器的效率。其穩(wěn)定的開關(guān)性能和高電壓耐受能力使其在需要高電壓轉(zhuǎn)換的場合表現(xiàn)優(yōu)越,例如電力系統(tǒng)和高壓電源適配器。

5. **電源保護(hù)電路**  
  IRLR230A-VB 可以用在電源保護(hù)電路中,作為過壓保護(hù)和過流保護(hù)的開關(guān)元件。其高電壓和電流處理能力確保了在電源異常情況下的可靠保護(hù),適合用于電源保護(hù)模塊和電池保護(hù)系統(tǒng)。

IRLR230A-VB 的高電壓處理能力、穩(wěn)定的開關(guān)性能和高功率管理能力使其在多個(gè)高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,為各種高功率需求提供了可靠的解決方案。

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