--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介:
IRLR3717TRPBF-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。它利用先進的 Trench 技術,特別適用于要求高開關效率和低導通電阻的應用。該 MOSFET 具有 20V 的漏極-源極耐壓(VDS),適合用于中低電壓電路中。其閾值電壓(Vth)范圍為 0.5V 到 1.5V,能夠在低柵極電壓下實現(xiàn)有效的開關操作。IRLR3717TRPBF-VB 的導通電阻在 2.5V 的柵極電壓下為 3.5mΩ,在 4.5V 的柵極電壓下為 2.5mΩ,支持最大 120A 的漏極電流。這些特性使得該 MOSFET 在需要高電流、低功耗和高開關速度的應用中表現(xiàn)出色。
### 2. 詳細參數(shù)說明:
- **型號**: IRLR3717TRPBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3.5mΩ @ VGS=2.5V
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench
### 3. 應用領域和模塊:
- **高效電源轉(zhuǎn)換器**:IRLR3717TRPBF-VB 的超低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效電源轉(zhuǎn)換器,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊。它能夠減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,并實現(xiàn)高性能的電源管理。
- **電機驅(qū)動電路**:在電機驅(qū)動電路中,該 MOSFET 可以用作高效的開關元件,處理高電流負載。由于其低導通電阻,它能夠在電機驅(qū)動應用中提供較少的能量損耗,并提高系統(tǒng)的整體效率。
- **自動化控制系統(tǒng)**:IRLR3717TRPBF-VB 適用于各種自動化控制系統(tǒng)中的高電流開關需求,如電動執(zhí)行器和驅(qū)動控制模塊。其高開關速度和低功耗特性確保了系統(tǒng)的響應時間和操作效率。
- **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 用于控制充電和放電過程。低導通電阻和高電流能力幫助提高系統(tǒng)的效率,優(yōu)化電池性能并延長電池壽命。
- **功率調(diào)節(jié)和保護**:IRLR3717TRPBF-VB 也可用于功率調(diào)節(jié)和保護電路中,如過流保護和負載開關。它的高開關能力和低導通電阻使其能夠在各種保護電路中實現(xiàn)高效和可靠的性能。
IRLR3717TRPBF-VB 的設計目標是滿足高電流、高開關效率以及低功耗的應用需求,廣泛適用于電源管理、電機驅(qū)動、電池管理、自動化控制和功率保護等多個領域。
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