--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**IRLR3802TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
IRLR3802TRPBF-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,利用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有 20V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS)。其閾值電壓 (Vth) 范圍為 0.5V 到 1.5V,這使得它在低柵極驅(qū)動(dòng)電壓下仍能保持良好的導(dǎo)電性能。IRLR3802TRPBF-VB 的導(dǎo)通電阻在 VGS = 4.5V 時(shí)為 4.5mΩ,在 VGS = 2.5V 時(shí)為 6mΩ,能夠承載最大 100A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其適用于需要高效率和高功率處理的應(yīng)用場(chǎng)景。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **型號(hào):** IRLR3802TRPBF-VB
- **封裝類型:** TO252
- **通道配置:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 6mΩ @ VGS = 2.5V
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 100A
- **技術(shù):** Trench
**應(yīng)用領(lǐng)域及實(shí)例:**
1. **高效電源開(kāi)關(guān):**
IRLR3802TRPBF-VB 的超低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用作高效電源開(kāi)關(guān)。特別是在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,這款 MOSFET 能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,提高能效,確保系統(tǒng)在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
2. **電動(dòng)汽車電池管理:**
在電動(dòng)汽車(EV)的電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于電池開(kāi)關(guān)和電流監(jiān)測(cè)。其低導(dǎo)通電阻能夠減少電池管理系統(tǒng)的功率損耗,并確保高電流負(fù)載下的穩(wěn)定工作,有助于提高電動(dòng)汽車的效率和續(xù)航能力。
3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng):**
IRLR3802TRPBF-VB 在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如,在工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于驅(qū)動(dòng)高電流電機(jī)和控制電機(jī)啟動(dòng)/停止。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠應(yīng)對(duì)工業(yè)環(huán)境中的高負(fù)載要求,提供高效、可靠的性能。
4. **消費(fèi)電子設(shè)備:**
在消費(fèi)電子設(shè)備中,例如高功率充電器和電源適配器中,這款 MOSFET 可以作為開(kāi)關(guān)組件,控制電源的輸出。由于其超低導(dǎo)通電阻,它能夠提高電源適配器的能效,減少熱量產(chǎn)生,并延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
IRLR3802TRPBF-VB MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在高效電源開(kāi)關(guān)、電動(dòng)汽車電池管理、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和消費(fèi)電子設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異,為這些領(lǐng)域提供了高效、可靠的開(kāi)關(guān)解決方案。
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