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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR8103TRR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR8103TRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR8103TRR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR8103TRR-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝,專為中高電流和中低電壓應(yīng)用設(shè)計。它的最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵極驅(qū)動電壓 (VGS) 可達(dá)到 ±20V。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,能在較低的柵極電壓下可靠地開啟。IRLR8103TRR-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 3mΩ @ VGS=4.5V 和 2mΩ @ VGS=10V,支持高達(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。其采用 Trench 技術(shù),提供了極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,非常適合高功率和高頻率的應(yīng)用場景。

### IRLR8103TRR-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-252
- **溝道配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 100A
- **功耗 (PD)**: 3W(估算,具體值依賴于散熱條件)
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)
- **開關(guān)頻率**: 適用于高頻開關(guān)應(yīng)用
- **結(jié)溫范圍**: -55°C 至 +150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  IRLR8103TRR-VB 的極低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合電源管理系統(tǒng)中的高效電源轉(zhuǎn)換。它可以用于電源模塊、電源開關(guān)和高電流負(fù)載的控制,顯著提升電源系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 的低 RDS(ON) 和高電流承載能力使其能夠有效減少功率損耗。適用于高效能的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計,如電動汽車電源、工業(yè)電源和通訊電源等。

3. **電機(jī)驅(qū)動**  
  IRLR8103TRR-VB 的高電流處理能力使其非常適合電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。在電動工具、電動汽車和自動化設(shè)備中,它能穩(wěn)定地驅(qū)動電機(jī),提供強(qiáng)大的控制能力和高效的能量轉(zhuǎn)換。

4. **電池管理系統(tǒng)**  
  由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,IRLR8103TRR-VB 在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。它可以用于電池充放電控制、過流保護(hù)和功率轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于電動汽車電池、儲能系統(tǒng)和可再生能源系統(tǒng)。

5. **汽車電子**  
  IRLR8103TRR-VB 也適用于汽車電子領(lǐng)域,能夠滿足汽車中的高電流負(fù)載需求。它可用于汽車電池管理、電源開關(guān)、燈光控制和其他汽車電子模塊,提高系統(tǒng)的可靠性和性能。

IRLR8103TRR-VB 的優(yōu)異性能使其在高電流和中低電壓的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,成為多種電子設(shè)備和電源管理系統(tǒng)中不可或缺的開關(guān)元件。

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