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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR8721TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR8721TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR8721TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR8721TRPBF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設計用于處理高電流低電壓的應用。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)最高可達±20V,柵閾值電壓(Vth)為1.7V。導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為3mΩ,在VGS=10V時為2mΩ,使其非常適合高效的電流控制。該MOSFET能夠承受高達100A的漏極電流,采用先進的Trench(溝槽)技術(shù),確保在高負載條件下具有出色的導通性能和散熱能力,是需要低功耗和高效率的應用的理想選擇。

### IRLR8721TRPBF-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 100A  
- **最大功率耗散 (PD)**: 3W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
- **封裝引腳**: 三引腳 (Drain, Gate, Source)  
- **技術(shù)類型**: Trench (溝槽) 技術(shù)  
- **靜電放電保護**: 高耐ESD  
- **開關速度**: 快速

### 應用領域和模塊舉例

1. **高效DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  - IRLR8721TRPBF-VB 由于其低導通電阻和高電流承載能力,非常適合用于高效DC-DC電源轉(zhuǎn)換器中。這些轉(zhuǎn)換器用于各種便攜式設備、通信系統(tǒng)和嵌入式系統(tǒng)中,確保系統(tǒng)在不同負載下都能維持高效率的電源管理。

2. **電機驅(qū)動控制**
  - 在電機驅(qū)動應用中,如無人機、電動車的驅(qū)動控制,IRLR8721TRPBF-VB 的高電流能力和出色的開關特性能夠有效驅(qū)動大功率電機,并保持功耗在最低水平。這款MOSFET可以用于控制電機的啟動、停止和速度調(diào)整,確保系統(tǒng)高效運行。

3. **電源管理模塊**
  - 這款MOSFET適用于大功率負載的電源管理模塊,如服務器電源、通信基站電源等高性能應用中。在這些領域,IRLR8721TRPBF-VB 的低導通損耗和高開關效率能夠有效降低系統(tǒng)熱耗散,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。

4. **負載開關和保護電路**
  - IRLR8721TRPBF-VB 可用于工業(yè)和消費類電子設備中的負載開關和保護電路中。它可以有效地在高電流負載下進行快速切換,同時提供過電流保護功能,有助于延長設備的使用壽命并提高整體可靠性。

IRLR8721TRPBF-VB 是一款高性能、低導通電阻的MOSFET,適用于多種需要高效率、高電流的應用,特別是在電源管理、負載開關以及電機驅(qū)動等領域中發(fā)揮重要作用。

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