--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 800V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2600mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**IXTY01N80-VB** 是一款高電壓N溝道MOSFET,專為800V應(yīng)用設(shè)計,采用TO252封裝。該器件具有良好的散熱性能和高電壓承受能力,非常適合于高壓電源和開關(guān)應(yīng)用。IXTY01N80-VB在需要高可靠性和穩(wěn)定性的電氣環(huán)境中表現(xiàn)出色,是工業(yè)和電子設(shè)備中不可或缺的組成部分。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:IXTY01N80-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **VDS**:800V
- **VGS**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **RDS(ON)**:2600mΩ @ VGS=10V
- **ID**:2A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓電源**:
- IXTQ01N80-VB廣泛應(yīng)用于高壓開關(guān)電源中,能夠有效處理高電壓轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)穩(wěn)定。
2. **照明設(shè)備**:
- 該MOSFET適用于LED驅(qū)動器和高壓照明應(yīng)用,提供高效的電流控制和開關(guān)功能。
3. **電機驅(qū)動**:
- 在電機控制系統(tǒng)中,IXTY01N80-VB可以用于驅(qū)動高壓直流電機,提升響應(yīng)速度和控制精度。
4. **工業(yè)設(shè)備**:
- 該器件適合用于各種工業(yè)自動化設(shè)備中,尤其是在需要高電壓和低功耗的應(yīng)用場景中。
通過這些應(yīng)用,IXTY01N80-VB展現(xiàn)出在高壓、高效能環(huán)境中的優(yōu)越性能,是工業(yè)和電子應(yīng)用的重要選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12