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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J132-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J132-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -38A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J132-VB 產(chǎn)品簡介

J132-VB 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,封裝形式為 TO252,專為中低壓應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓(VDS)為 -30V,適合負電壓環(huán)境。其柵極源極電壓(VGS)可達到 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -1.7V,能夠在相對較低的驅(qū)動電壓下正常工作。采用 Trench 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 46mΩ @ VGS=4.5V 和 33mΩ @ VGS=10V),使其在高電流條件下運行時功耗更低,從而提高整體效率。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:J132-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓(VDS)**:-30V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 46mΩ @ VGS=4.5V
 - 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:-38A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **負電源開關(guān)**:J132-VB 可用于負電源開關(guān)電路,適合需要負電壓控制的應(yīng)用,如音頻放大器和高效電源管理系統(tǒng)。

2. **H 橋電機驅(qū)動**:在電機驅(qū)動應(yīng)用中,該 MOSFET 可作為 H 橋中的開關(guān),支持電機的正負電流控制,提供平穩(wěn)的電機運行。

3. **電力轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,J132-VB 能夠高效處理負電壓,適用于各種電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,包括太陽能逆變器。

4. **電池管理系統(tǒng)**:該器件在電池管理應(yīng)用中可用于控制電池充放電過程,確保安全和高效的能量傳輸。

5. **LED 驅(qū)動電路**:在 LED 照明應(yīng)用中,J132-VB 可用于負電源驅(qū)動,確保 LED 模塊的高效能和可靠性,滿足市場對高亮度照明的需求。

以上是 J132-VB 的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明及其適用領(lǐng)域的示例。如需更多信息或具體應(yīng)用案例,請隨時告知!

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