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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J189-TL-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J189-TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -38A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:J189-TL-VB

J189-TL-VB是一款高效能的單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低至中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET利用Trench技術(shù),具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻,適合多種電源管理和負(fù)載控制場景。憑借其卓越的性能,J189-TL-VB在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中被廣泛應(yīng)用,能夠有效提升系統(tǒng)效率與穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號**:J189-TL-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單P溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 46mΩ(在VGS=4.5V時(shí))
 - 33mΩ(在VGS=10V時(shí))
- **最大漏極電流(ID)**:-38A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **電源管理**:
  J189-TL-VB非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器,其低導(dǎo)通電阻可顯著提高電源效率,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)電源等領(lǐng)域。

2. **電動汽車**:
  在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET能夠有效控制電流流動,提高充放電的效率和安全性,確保電池在各種工作條件下的穩(wěn)定性。

3. **家用電器**:
  J189-TL-VB可用于各種家用電器的電源開關(guān)和控制電路,提供高效的電源管理,滿足家用設(shè)備對可靠性和效率的要求。

4. **工業(yè)自動化**:
  該MOSFET適用于工業(yè)自動化中的負(fù)載控制和電機(jī)驅(qū)動,能夠提供快速響應(yīng)和高功率輸出,提升系統(tǒng)的整體性能。

通過這些應(yīng)用實(shí)例,J189-TL-VB展示了其在低至中等電壓和高電流應(yīng)用場景下的廣泛適用性,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對性能和效率的嚴(yán)格要求。

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