--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -250V
- VGS 20(±V)
- Vth -2V
- RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
- ID -6A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### J610-VB MOSFET產(chǎn)品簡介
J610-VB是一款高耐壓單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,特別設(shè)計用于高壓和低功耗應(yīng)用。該器件的關(guān)鍵特性包括其高達(dá)-250V的漏源極電壓(VDS),使其能夠在要求較高耐壓的環(huán)境中穩(wěn)定運行。憑借Trench技術(shù),J610-VB提供低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在不同柵極電壓下表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)電性能,能夠有效降低能量損耗。其閾值電壓為-2V,適合多種控制電路和開關(guān)應(yīng)用,是電源管理和電機(jī)控制等領(lǐng)域的理想選擇。
### J610-VB詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單P溝道MOSFET
- **漏源極電壓 (VDS)**: -250V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 1200mΩ @ VGS=4.5V
- 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -6A
- **技術(shù)**: Trench
### J610-VB應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **高壓電源管理**: J610-VB非常適合用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)中,能夠有效地在高壓條件下進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換,保持高效能和穩(wěn)定性,特別適用于工業(yè)電源和電池供電設(shè)備。
2. **電動機(jī)驅(qū)動**: 在電機(jī)控制應(yīng)用中,J610-VB能夠?qū)崿F(xiàn)對高壓電動機(jī)的高效控制。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在電動工具、電動車和家用電器的電機(jī)驅(qū)動中展現(xiàn)出良好的性能,確保設(shè)備的可靠運行。
3. **汽車電子**: 該MOSFET在汽車電子系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,特別是在電動窗、門鎖、車燈和其他高壓控制系統(tǒng)中。J610-VB的高耐壓特性和高效性使其在汽車環(huán)境中能夠承受惡劣條件,同時保持良好的工作性能。
4. **光伏逆變器**: 在太陽能光伏逆變器中,J610-VB能夠有效管理從太陽能電池板輸出的高電壓。其優(yōu)秀的開關(guān)特性和耐壓能力使其在能量轉(zhuǎn)換過程中提供高效的性能,提升整個光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率。
通過這些應(yīng)用實例,J610-VB展現(xiàn)了其在高壓和高效能領(lǐng)域中的重要作用,為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12