--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K1299-VB 產(chǎn)品簡介
K1299-VB 是一款采用 TO252 封裝的高效單 N 溝道 MOSFET,設(shè)計(jì)用于處理中等電壓和較高電流的電路應(yīng)用。其最大漏源電壓 (VDS) 為 100V,柵源電壓 (VGS) 最高可達(dá) ±20V,柵極門限電壓 (Vth) 低至 1.8V,能夠在較低的柵極驅(qū)動下快速響應(yīng)。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 114mΩ(在 VGS = 10V 時(shí)),支持高達(dá) 15A 的電流。憑借 Trench 技術(shù),K1299-VB 提供優(yōu)異的導(dǎo)電性能和熱管理能力,適合開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動等需要高效率和穩(wěn)定性的應(yīng)用場景。
---
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: K1299-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門限電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **最大功耗 (PD)**: 42W
- **熱阻 (RθJC)**: 3.0°C/W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**: K1299-VB 非常適合用于開關(guān)電源模塊中,在通信設(shè)備、電源適配器等中能夠高效地實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換并提供穩(wěn)定的功率輸出。其高電壓和電流能力使其在電力電子轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色。
2. **電機(jī)驅(qū)動**: 該 MOSFET 能夠驅(qū)動直流和步進(jìn)電機(jī),廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化設(shè)備、機(jī)器人、家電中的電機(jī)控制系統(tǒng),保證電機(jī)運(yùn)行的效率和可靠性。
3. **逆變器和變頻器**: K1299-VB 適合用于太陽能、風(fēng)能等可再生能源應(yīng)用的逆變器電路,通過其高效的電流處理能力,有助于提升能源轉(zhuǎn)換效率。
4. **LED 驅(qū)動器**: 在高功率 LED 照明系統(tǒng)中,K1299-VB 可用作驅(qū)動電路的一部分,有助于提供穩(wěn)定的電流輸出,提高照明的效率和壽命。
5. **電池管理系統(tǒng)**: 該器件在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其適合于電動工具、便攜式設(shè)備等需要精確控制電池電壓和電流的場合,確保電池安全高效地充放電。
6. **汽車電子**: K1299-VB 能夠應(yīng)用于汽車電子控制單元中,如汽車電源管理、燈光系統(tǒng)等,為車輛的電力電子設(shè)備提供高效的功率開關(guān)功能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛