--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K1625-VB 產(chǎn)品簡介
K1625-VB是一款高效能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計用于高壓應(yīng)用。該器件的最大漏源電壓(VDS)為650V,能夠在高電壓環(huán)境中可靠工作。其最大柵源電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,適合于多種電源和開關(guān)電路的需求。K1625-VB在VGS為10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為700mΩ,這有助于減少導(dǎo)通損耗,提高整體系統(tǒng)的能效。最大漏電流(ID)為7A,適合于高電流驅(qū)動的應(yīng)用。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),該MOSFET在高溫和高電壓條件下展現(xiàn)出極高的可靠性,是現(xiàn)代電源設(shè)計的理想選擇。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: K1625-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 700mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
K1625-VB在多個領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力,包括:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**: K1625-VB適合用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠處理高達(dá)650V的電壓,支持高效能的電源管理系統(tǒng),提升能源利用率。
2. **工業(yè)電氣設(shè)備**: 在工業(yè)應(yīng)用中,K1625-VB可作為電源開關(guān)或調(diào)節(jié)器,在高電流和高電壓的工作環(huán)境中保證穩(wěn)定運行,適合用于電機(jī)驅(qū)動和電力控制模塊。
3. **可再生能源系統(tǒng)**: 該器件在太陽能逆變器和風(fēng)能發(fā)電設(shè)備中表現(xiàn)出色,能夠有效管理高電壓直流電源,確保高效能的能源轉(zhuǎn)換和使用。
4. **電動交通工具充電設(shè)備**: K1625-VB可用于電動汽車的充電系統(tǒng),作為開關(guān)控制器在高電壓和高電流條件下提供安全可靠的性能,確保充電過程的高效性和安全性。
通過上述參數(shù)和應(yīng)用示例,K1625-VB展示了其在高壓和高效能電源管理中的優(yōu)越特性,是現(xiàn)代電源和開關(guān)電路設(shè)計中不可或缺的關(guān)鍵組件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12