--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
K2280-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 可達(dá)到 60V,適合在多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中使用。該器件的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,展現(xiàn)出優(yōu)良的導(dǎo)通特性。在 VGS = 4.5V 時,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 85mΩ,而在 VGS = 10V 時進(jìn)一步降低至 73mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 18A。K2280-VB 采用 Trench 技術(shù),具有良好的熱性能和高效率,非常適合各種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備中的應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO252
- **極性**:單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:具體溫度范圍需參考產(chǎn)品手冊,通常為 -55°C 至 150°C。
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K2280-VB 非常適合用于開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠有效提高電源效率,廣泛應(yīng)用于電源適配器、充電器和工業(yè)電源系統(tǒng)。
2. **電機(jī)控制**:在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,該 MOSFET 可以用作開關(guān)元件,適合用于各種小型電機(jī)的控制,如電動工具、家用電器和自動化設(shè)備,能夠承受高達(dá) 18A 的電流。
3. **LED 照明驅(qū)動**:K2280-VB 可以作為 LED 驅(qū)動電路中的開關(guān)元件,確保對 LED 的精確電流控制,適合用于背光、戶外照明和室內(nèi)照明系統(tǒng)。
4. **電動汽車**:在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,該器件適用于電池管理和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,提供高效的電流轉(zhuǎn)換和能量管理。
5. **電力電子模塊**:K2280-VB 在各種電力電子模塊中得到廣泛應(yīng)用,如升壓和降壓轉(zhuǎn)換器,能夠高效處理電能,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
K2280-VB 的卓越性能和多樣的應(yīng)用使其成為現(xiàn)代電子設(shè)計中不可或缺的關(guān)鍵組件,為各種高效能電源和控制系統(tǒng)提供可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它