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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2735STL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2735STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K2735STL-E-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電流和低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 30V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS),提供出色的開關(guān)性能。K2735STL-E-VB 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,確保其能夠在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下快速開啟。在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)下,器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 9mΩ,而在 10V 驅(qū)動(dòng)下更低至 7mΩ,顯示出其卓越的導(dǎo)電性能。憑借高達(dá) 70A 的漏極電流(ID)能力,K2735STL-E-VB 適合各種需要高電流傳輸?shù)膽?yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **溝道配置**:單 N 溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:30V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:70A  
- **技術(shù)類型**:溝槽技術(shù) (Trench)  
- **功耗能力**:具體功耗能力依賴于散熱設(shè)計(jì),通常在幾十瓦范圍內(nèi)。  
- **工作溫度范圍**:-55°C 到 150°C  
- **熱阻**:在適當(dāng)散熱條件下,能夠保持低熱阻,確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。  
- **開關(guān)頻率**:適合于中到高頻應(yīng)用,具有快速的開關(guān)響應(yīng)特性。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**:K2735STL-E-VB 非常適用于開關(guān)電源(SMPS)和電源適配器中,尤其是低電壓和高電流的應(yīng)用場合。其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功耗,提升電源效率。

2. **電動(dòng)汽車(EV)**:在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和直流-直流轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 可以作為功率開關(guān),確保高效的電能管理和傳輸,優(yōu)化電池的使用效率。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**:在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中,K2735STL-E-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和大功率負(fù)載的開關(guān)控制。其高電流承載能力和低功耗特性使其在工業(yè)環(huán)境中表現(xiàn)出色。

4. **消費(fèi)類電子產(chǎn)品**:在大型家電、充電器和其他高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品中,K2735STL-E-VB 能夠高效地執(zhí)行功率開關(guān)功能,支持快速充電和高效能耗管理。

5. **可再生能源**:在光伏逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中,該器件能夠作為功率控制器件,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和管理,提高系統(tǒng)的整體性能和能效。

綜上所述,K2735STL-E-VB 憑借其出色的電氣特性和高電流處理能力,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)汽車、工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域,為高效可靠的電能控制提供了有效解決方案。

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